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उत्पाद विवरण:
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| उत्पाद का नाम: | मोसफेट पावर स्विच | नमूना: | AP8810TS |
|---|---|---|---|
| पैक: | TSSOP -8 | अंकन: | AP8810E XXX YYYY |
| VDSDrain- स्रोत वोल्टेज: | 20V | VGSGate-Sou rce वोल्ट: | ± 12V |
| हाई लाइट: | एन चैनल mosfet ट्रांजिस्टर,उच्च वोल्टेज ट्रांजिस्टर |
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मल्टी फंक्शनल मोसफेट पॉवर स्विच / AP8810TS हाई करंट मोसफेट स्विच
सामान्य विवरण:
मॉस फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर का उपयोग कई बिजली आपूर्ति और सामान्य बिजली अनुप्रयोगों में किया जाता है, विशेष रूप से स्विच के रूप में। वेरिएंट में प्लानर MOSFETs, VMOS, UMOS ट्रेंचमॉस, HEXFETs और अन्य ब्रांड नाम शामिल हैं।
सामान्य विशेषताएं
वीडीएस = 20 वी, आईडी = 7 ए
RDS (ON) <28mΩ @ VGS = 2.5V
RDS (ON) <26mΩ @ VGS = 3.1V
RDS (ON) <22mΩ @ VGS = 4V
RDS (ON) <20mΩ @ VGS = 4.5V
ईएसडी रेटिंग: 2000 वी एचबीएम
आवेदन
बैटरी की सुरक्षा
लोड स्विच पावर प्रबंधन
पैकेज अंकन और आदेश सूचना
| उत्पाद आईडी | पैक | अंकन | मात्रा (पीसीएस) |
| AP8810TS | TSSOP -8 | AP8810E XXX YYYY | 5000 |
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ℃ जब तक अन्यथा नोट नहीं)
| पैरामीटर | प्रतीक | सीमा | इकाई |
| नाली-स्रोत वोल्टेज | VDS | 20 | वी |
| गेट-सोर्स वोल्टेज | वीजीएस | ± 12 | वी |
नाली चालू-निरंतर @ वर्तमान-स्पंदित (नोट 1) | आईडी | 7 | ए |
| IDM | 25 | ए | |
| अधिकतम शक्ति अपव्यय | पीडी | 1.5 | डब्ल्यू |
| ऑपरेटिंग जंक्शन और भंडारण तापमान रेंज | टीजे, टी एसटीजी | -55 से 150 | ℃ |
| थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन से परिवेश (नोट 2) | RθJA | 83 | ℃ / डब्ल्यू |
| पैरामीटर | प्रतीक | सीमा | इकाई |
| नाली-स्रोत वोल्टेज | VDS | 20 | वी |
| गेट-सोर्स वोल्टेज | वीजीएस | ± 12 | वी |
नाली चालू-निरंतर @ वर्तमान-स्पंदित (नोट 1) | आईडी | 7 | ए |
| IDM | 25 | ए | |
| अधिकतम शक्ति अपव्यय | पीडी | 1.5 | डब्ल्यू |
| ऑपरेटिंग जंक्शन और भंडारण तापमान रेंज | टीजे, टी एसटीजी | -55 से 150 | ℃ |
| थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन से परिवेश (नोट 2) | RθJA | 83 | ℃ / डब्ल्यू |
विद्युत प्रभार (टीए = 25 ℃ जब तक अन्यथा नोट)
| पैरामीटर | प्रतीक | शर्त | मिन | प्रकार | मैक्स | इकाई |
| नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज | बी.वी. | वी जीएस = 0 वी आईडी = 250 μA | 20 | वी | ||
| ज़ीरो गेट वोल्टेज ड्रेन करंट | IDSS | वी डीएस = 20 वी, वी जीएस = 0 वी | 1 | μA | ||
गेट-बॉडी लीकेज करंट | IGSS | वी जीएस = ± 4.5 वी, वी डीएस = 0 वी | ± 200 | ना | ||
| वी जीएस = GS 10 वी, वीडीएस = 0 वी | ± 10 | uA | ||||
| गेट दहलीज वोल्टेज | वी जीएस (वें) | वी डीएस = वी जीएस, आईडी = 250 μA | 0.6 | 0.75 | 1.2 | वी |
नाली-स्रोत ऑन-स्टेट प्रतिरोध | आरडीएस (ON) | वी जीएस = 4.5 वी, आईडी = 6.5 ए | 14 | 20 | मी Ω | |
| वी जीएस = 4 वी, आईडी = 6 ए | 16 | 22 | मी Ω | |||
| वी जीएस = 3.1 वी, आईडी = 5.5 ए | 19 | 26 | मी Ω | |||
| वी जीएस = 2.5 वी, आईडी = 5.5 ए | 24 | 28 | मी Ω | |||
| फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्शन | GFS | वी डीएस = 10 वी, आईडी = 6.5 ए | 6.6 | एस | ||
| इनपुट क्षमता | CLSS | 650 | पीएफ | |||
| आउटपुट कैपेसिटेंस | Coss | 360 | पीएफ | |||
| रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस | Crss | 154 | पीएफ | |||
| देरी समय चालू करें | टीडी (पर) | 1 1 | 22 | एन एस | ||
| राइज-ऑन टाइम | आर टी | 12 | 28 | एन एस | ||
| टर्न-ऑफ देरी का समय | टीडी (बंद) | 35 | 73 | एन एस | ||
| टर्न-ऑफ फॉल टाइम | च टी | 33 | 65 | एन एस | ||
| कुल गेट चार्ज | Qg | वी डीएस = 10 वी, आईडी = 7 ए, वी जीएस = 4.5 वी | 1 1 | 16 | NC | |
| गेट-सोर्स चार्ज | Qgs | 2.5 | NC | |||
| गेट-ड्रेन चार्ज | Qgd | 3.2 | NC | |||
| डायोड फॉरवर्ड वोल्टेज (नोट 3) | वी। एस.डी. | वी जीएस = 0 वी, आईएस = 1.5 ए | 0.84 | 1.2 | वी |
| पैरामीटर | प्रतीक | शर्त | मिन | प्रकार | मैक्स | इकाई |
| नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज | बी.वी. | वी जीएस = 0 वी आईडी = 250 μA | 20 | वी | ||
| ज़ीरो गेट वोल्टेज ड्रेन करंट | IDSS | वी डीएस = 20 वी, वी जीएस = 0 वी | 1 | μA | ||
गेट-बॉडी लीकेज करंट | IGSS | वी जीएस = ± 4.5 वी, वी डीएस = 0 वी | ± 200 | ना | ||
| वी जीएस = GS 10 वी, वीडीएस = 0 वी | ± 10 | uA | ||||
| गेट दहलीज वोल्टेज | वी जीएस (वें) | वी डीएस = वी जीएस, आईडी = 250 μA | 0.6 | 0.75 | 1.2 | वी |
नाली-स्रोत ऑन-स्टेट प्रतिरोध | आरडीएस (ON) | वी जीएस = 4.5 वी, आईडी = 6.5 ए | 14 | 20 | मी Ω | |
| वी जीएस = 4 वी, आईडी = 6 ए | 16 | 22 | मी Ω | |||
| वी जीएस = 3.1 वी, आईडी = 5.5 ए | 19 | 26 | मी Ω | |||
| वी जीएस = 2.5 वी, आईडी = 5.5 ए | 24 | 28 | मी Ω | |||
| फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्शन | GFS | वी डीएस = 10 वी, आईडी = 6.5 ए | 6.6 | एस | ||
| इनपुट क्षमता | CLSS | 650 | पीएफ | |||
| आउटपुट कैपेसिटेंस | Coss | 360 | पीएफ | |||
| रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस | Crss | 154 | पीएफ | |||
| देरी समय चालू करें | टीडी (पर) | 1 1 | 22 | एन एस | ||
| राइज-ऑन टाइम | आर टी | 12 | 28 | एन एस | ||
| टर्न-ऑफ देरी का समय | टीडी (बंद) | 35 | 73 | एन एस | ||
| टर्न-ऑफ फॉल टाइम | च टी | 33 | 65 | एन एस | ||
| कुल गेट चार्ज | Qg | वी डीएस = 10 वी, आईडी = 7 ए, वी जीएस = 4.5 वी | 1 1 | 16 | NC | |
| गेट-सोर्स चार्ज | Qgs | 2.5 | NC | |||
| गेट-ड्रेन चार्ज | Qgd | 3.2 | NC | |||
| डायोड फॉरवर्ड वोल्टेज (नोट 3) | वी। एस.डी. | वी जीएस = 0 वी, आईएस = 1.5 ए | 0.84 | 1.2 | वी |
टिप्पणियाँ:
1. दोहराव रेटिंग: पल्स चौड़ाई अधिकतम जंक्शन तापमान द्वारा सीमित।
2. एफआर 4 बोर्ड पर चढ़ा हुआ सतह, टी। 10 सेकंड।
3. पल्स टेस्ट: पल्स चौड़ाई, 300 μs, ड्यूटी साइकिल ≤ 2%।
4. डिजाइन की गारंटी, उत्पादन परीक्षण के अधीन नहीं है।
ध्यान
1, किसी भी और सभी एपीएम माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उत्पादों में वर्णित या सम्मिलित ऐसे विनिर्देशन नहीं हैं जो उन अनुप्रयोगों को संभाल सकते हैं जिनके लिए अत्यधिक उच्च स्तर की विश्वसनीयता की आवश्यकता होती है, जैसे कि जीवन समर्थन प्रणाली, विमान के नियंत्रण प्रणाली, या अन्य अनुप्रयोग जिनकी विफलता के परिणामस्वरूप परिणाम की उम्मीद की जा सकती है। गंभीर शारीरिक और / या भौतिक क्षति। इस तरह के अनुप्रयोगों में वर्णित या निहित किसी भी एपीएम माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उत्पादों का उपयोग करने से पहले अपने एपीएम माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक प्रतिनिधि से संपर्क करें।
2, APM माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उपकरण विफलताओं के लिए कोई जिम्मेदारी नहीं मानता है कि किसी भी और सभी APP माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उत्पादों के उत्पादों के विनिर्देशों में सूचीबद्ध मूल्यों से अधिक, यहां तक कि मूल्यांकित मान (जैसे अधिकतम रेटिंग, परिचालन स्थिति सीमा, या अन्य पैरामीटर) पर उत्पादों का उपयोग करने के परिणामस्वरूप कोई जिम्मेदारी नहीं लेता है। यहाँ वर्णित या सम्मिलित है।
3, किसी भी और यहां वर्णित सभी APM माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उत्पादों के विनिर्देश स्वतंत्र राज्य में वर्णित उत्पादों के प्रदर्शन, विशेषताओं और कार्यों को प्रेरित करते हैं, और वर्णित उत्पादों के प्रदर्शन, विशेषताओं और कार्यों की गारंटी नहीं है, जैसे कि इसमें मुहिम शुरू की गई है। ग्राहक के उत्पाद या उपकरण। एक स्वतंत्र उपकरण में मूल्यांकन नहीं किए जा सकने वाले लक्षणों और राज्यों को सत्यापित करने के लिए, ग्राहक को हमेशा ग्राहक के उत्पादों या उपकरणों में लगे उपकरणों का मूल्यांकन और परीक्षण करना चाहिए।
4, एपीएम माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक सेमीकंडक्टर कं, लि। उच्च गुणवत्ता वाले उच्च विश्वसनीयता वाले उत्पादों की आपूर्ति करने का प्रयास करता है। हालांकि, कोई भी और सभी अर्धचालक उत्पाद कुछ संभावना के साथ विफल हो जाते हैं। यह संभव है कि ये संभाव्य विफलताएं उन दुर्घटनाओं या घटनाओं को जन्म दे सकती हैं जो मानव जीवन को खतरे में डाल सकती हैं जो धुएं या आग को जन्म दे सकती हैं, या जो अन्य संपत्ति को नुकसान पहुंचा सकती हैं। व्हाट्सएपिंग उपकरण, सुरक्षा उपायों को अपनाएं ताकि इस प्रकार की दुर्घटनाएं या घटनाएं घटित न हो सकें। इस तरह के उपायों में सुरक्षित डिजाइन, निरर्थक डिजाइन, और संरचनात्मक डिजाइन के लिए सुरक्षात्मक सर्किट और त्रुटि निवारण सर्किट तक सीमित नहीं हैं।
5, इस घटना में कि किसी भी या सभी एपीएम माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उत्पादों (तकनीकी डेटा, सेवाओं सहित) का वर्णन किया गया है या इसमें निहित हैं, किसी भी लागू स्थानीय निर्यात नियंत्रण कानूनों और नियमों के तहत नियंत्रित हैं, ऐसे उत्पादों को अधिकारियों से निर्यात लाइसेंस प्राप्त किए बिना निर्यात नहीं किया जाना चाहिए। उपरोक्त कानून के अनुसार संबंधित।
6, APM माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक सेमीकंडक्टर CO की पूर्व लिखित अनुमति के बिना, इस प्रकाशन का कोई भी हिस्सा किसी भी रूप में या इलेक्ट्रॉनिक या मैकेनिकल, फोटोकॉपी और रिकॉर्डिंग, या किसी भी सूचना भंडारण या पुनर्प्राप्ति प्रणाली, या अन्यथा, द्वारा पुन: प्रस्तुत या प्रेषित नहीं किया जा सकता है। ।, लि।
7, सूचना (सर्किट आरेख और सर्किट मापदंडों सहित) यहाँ केवल उदाहरण के लिए है; यह मात्रा के उत्पादन के लिए गारंटी नहीं है। एपीएम माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक का मानना है कि यहां की जानकारी सटीक और विश्वसनीय है, लेकिन इसके उपयोग या तीसरे पक्ष के बौद्धिक संपदा अधिकारों या अन्य अधिकारों के किसी भी उल्लंघन के बारे में कोई गारंटी नहीं दी जाती है।
8, यहाँ वर्णित या सम्मिलित कोई भी और सभी जानकारी उत्पाद / प्रौद्योगिकी सुधार आदि के कारण बिना सूचना के परिवर्तन के अधीन है। उपकरण डिजाइन करते समय, एपीएम माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उत्पाद के लिए "वितरण विशिष्टता" देखें जिसका आप उपयोग करना चाहते हैं।
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