HXY4616 Mosfet Power Transistor V 20v VGS हाई वोल्टेज VDS 40V VGS Mos 20v

A. R A _JA का मान 1in _A = 25 ° C पर लगे उपकरण से मापा जाता है। किसी भी दिए गए एप्लिकेशन में मूल्य उपयोगकर्ता के विशिष्ट बोर्ड डिज़ाइन पर निर्भर करता है। ² FR-4 बोर्ड के साथ 2 ऑउंस। कॉपर, टी के साथ अभी भी वायु वातावरण में

B. बिजली अपव्यय P _D , T _{J (MAX)} = 150 ° C पर आधारित है, जो s 10 s जंक्शन-से-परिवेश थर्मल प्रतिरोध का उपयोग करता है। C। दोहराव की रेटिंग, जंक्शन तापमान टी _{जे (मैक्स)} = 150 डिग्री सेल्सियस द्वारा सीमित पल्स चौड़ाई। रेटिंग आरंभिक _J = 25 ° C रखने के लिए कम आवृत्ति और कर्तव्य चक्र पर आधारित हैं।

डी। आर The _जेए जंक्शन से थर्मल बाधा का योग है जो आर _{L जेएल} का नेतृत्व करता है और परिवेश का नेतृत्व करता है।

ई। आंकड़े 1 से 6 में स्थिर विशेषताएँ <300µ दालों, कर्तव्य चक्र 0.5% अधिकतम का उपयोग करके प्राप्त की जाती हैं।

एफ। ये वक्र जंक्शन-टू-एंबियंट थर्मल इम्पीडेंस पर आधारित हैं, जिसे ¹ ओन ² एफआर -4 बोर्ड पर ² ऑउंस के साथ लगे डिवाइस से मापा जाता है। कॉपर, टी _{जे (मैक्स)} = 150 ° C का अधिकतम जंक्शन तापमान मान रहा है। SOA वक्र एक एकल पल्स रटिन जी प्रदान करता है।