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उत्पाद विवरण:
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| मॉडल संख्या:: | AP4434AGYT-एचएफ | प्रकार:: | लोगो को आई.सी.एस. |
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| ब्रांड का नाम:: | मूल ब्रांड | पैकेज:: | DIP / एसएमडी |
| शर्त:: | नया 100% AP4434AGYT-HF | मीडिया उपलब्ध:: | विवरण तालिका |
| हाई लाइट: | 3.13 W IGBT डायोड स्विचिंग ट्रांजिस्टर,40A IGBT डायोड स्विचिंग ट्रांजिस्टर,AP4434AGYT-HF MOSFET IGBT |
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AP4434AGYT-HF PMPAK (YT मूल MOSFET / IGBT / डायोड स्विचिंग / ट्रांजिस्टर चिप्स)
विवरण
AP4434A सीरीज़ एडवांस्ड पावर इनोवेटेड डिज़ाइन और सिलिकॉन प्रोसेस टेक्नोलॉजी से हैं जो सबसे कम संभव ऑन-रेसिस्टेंस और फ़ास्ट स्विचिंग परफॉर्मेंस को प्राप्त करते हैं।यह डिज़ाइनर को एक विस्तृत कुशल उपकरण प्रदान करता है, जिसका उपयोग विभिन्न प्रकार के बिजली अनुप्रयोगों में किया जाता है।
PMPAK® 3x3 पैकेज अच्छा थर्मल प्रदर्शन प्राप्त करने के लिए बैकसाइड हीट सिंक के साथ मानक अवरक्त रिफ्लो तकनीक का उपयोग करके वोल्टेज रूपांतरण एप्लिकेशन के लिए विशेष है।
पूर्ण ज्यादा से ज्यादा रेटिंग
| प्रतीक | पैरामीटर | रेटिंग | इकाइयों |
| VDS | नाली-स्रोत वोल्टेज | 20 | वी |
| वीजीएस | गेट-सोर्स वोल्टेज | +8 | वी |
| मैंडी@Tए= 25 ℃ | निरंतर नाली वर्तमान3, वीजी एस @ 4.5 वी | 10.8 | ए |
| मैंडी@Tए= 70 ℃ | निरंतर नाली वर्तमान3, वीजी एस @ 4.5 वी | 8.6 | ए |
| IDM | स्पंदित नाली वर्तमान1 | 40 | ए |
| पीडी@Tए= 25 ℃ | कुल शक्ति अपव्यय3 | 3.13 | डब्ल्यू |
| TSTG | स्टोरेज टेंपरेचर रेंज | -55 से 150 | ℃ |
| टीजे | ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | -55 से 150 | ℃ |
हेर्मल डेटा
| प्रतीक | पैरामीटर | मूल्य | इकाई |
| Rthj-सी | अधिकतम थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन-केस | 4 | ℃ / डब्ल्यू |
| Rthj-एक | अधिकतम थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन-परिवेश3 | 40 | ℃ / डब्ल्यू |
AP4434AGYT-एच
विद्युत विशेषताएँ @ टीजे= 25ओसी (जब तक अन्यथा निर्दिष्ट)
| प्रतीक | पैरामीटर | परीक्षण की स्थितियाँ | मिन। | प्रकार। | मैक्स। | इकाइयों |
| BVDSS | नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज | वीजी एस= 0 वी, आईडी= 250uA | 20 | - | - | वी |
| आरडीएस (ON) | स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस2 | वीजी एस= 4.5 वी, आईडी= 7A | - | - | 18 | mΩ |
| वीजी एस= 2.5 वी, आईडी= 4 ए | - | - | 25 | mΩ | ||
| वीजी एस= 1.8 वी, आईडी= 1 ए | - | - | 34 | mΩ | ||
| वीजीएस (th) | गेट दहलीज वोल्टेज | वीडी एस= वीजी एस, मैंडी= 250uA | 0.25 | - | 1 | वी |
| gfs | फॉरवर्ड ट्रांसकनेक्टेंस | वीडी एस= 10 वी, आईडी= 7A | - | 29 | - | एस |
| IDSS | नाली-स्रोत रिसाव वर्तमान | वीडी एस= 16 वी, वीजी एस= 0V | - | - | 10 | uA |
| IGSS | गेट-सोर्स रिसाव | वीजी एस=+8 वी, वीडी एस= 0V | - | - | +100 | ना |
| क्यूजी | कुल गेट शुल्क |
मैंडी= 7 ए वीडी एस= 10V वीजी एस= 4.5V |
- | 12.5 | 20 | NC |
| Qgs | गेट-सोर्स चार्ज | - | 1.5 | - | NC | |
| Qgd | गेट-ड्रेन ("मिलर") शुल्क | - | 4.5 | - | NC | |
| टीडी (पर) | देरी समय चालू करें |
वीडी एस= 10 वी आईडी= 1 ए आरजी= 3.3Ω वीजी एस= 5V |
- | 10 | - | एनएस |
| टीआर | उठने का समय | - | 10 | - | एनएस | |
| टीडी (बंद) | देरी समय बंद करें | - | 24 | - | एनएस | |
| टीच | पतझड़ का समय | - | 8 | - | एनएस | |
| CISS | इनपुट क्षमता |
वीजी.एस = 0 वी वीडी एस= 10V च = 1.0MHz |
- | 800 | 1280 | pF |
| Coss | आउटपुट कैपेसिटेंस | - | 165 | - | pF | |
| Crss | रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस | - | 145 | - | pF | |
| आरजी | गेट प्रतिरोध | च = 1.0MHz | - | 1.5 | 3 | Ω |
सोर्स-ड्रेन डायोड
| प्रतीक | पैरामीटर | परीक्षण की स्थितियाँ | मिन। | प्रकार। | मैक्स। | इकाइयों |
| वी एस डी | वोल्टेज पर आगे2 | मैंएस= 2.6A, वीजी एस= 0V | - | - | 1.2 | वी |
| trr | ठीक होने का समय |
मैंएस= 7 ए, वीजी एस= 0V, डि / dt = 100A / μs |
- | 20 | - | एनएस |
| QRR | रिवर्स रिकवरी चार्ज | - | 10 | - | NC |
टिप्पणियाँ:
1. अधिकतम चौड़ाई मैक्स द्वारा सीमित है।जंक्शन तापमान।
2.पुल परीक्षण
3. सतह 1 पर घुड़सवार2 FR4 बोर्ड के 2 ऑज़ कॉपर पैड, टी <10sec;210ओमिनट पर चढ़ने पर C / W।तांबे का पेड।
व्यक्ति से संपर्क करें: David
