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उत्पाद विवरण:
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| उत्पाद का नाम: | दोहरे मोसफ़ेट स्विच | नमूना: | AP50N10D |
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| पैक: | टू-252 | अंकन: | AP50N10D XXX YYYY |
| VDSDrain- स्रोत वोल्टेज: | 100V | VGSGate-Sou rce वोल्ट: | ± 20V |
| हाई लाइट: | एन चैनल mosfet ट्रांजिस्टर,उच्च वोल्टेज ट्रांजिस्टर |
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AP50N10D दोहरी मोसफेट स्विच / 50A 100V TO-252 हाई पावर ट्रांजिस्टर
दोहरी Mosfet स्विच अनुप्रयोगों
स्विच मोड विद्युत आपूर्ति (SMPS)
आवासीय, वाणिज्यिक, वास्तु और स्ट्रीट लाइटिंग
डीसी-डीसी कन्वर्टर्स
मोटर नियंत्रण
मोटर वाहन अनुप्रयोगों
दोहरी Mosfet स्विच विवरण:
AP50N10D उन्नत ट्रेंच तकनीक का उपयोग करता है
उत्कृष्ट RDS (ON), कम गेट चार्ज और प्रदान करने के लिए
गेट वोल्टेज के साथ ऑपरेशन 4.5V जितना कम।
यह उपकरण एक के रूप में उपयोग के लिए उपयुक्त है
बैटरी सुरक्षा या अन्य स्विचिंग एप्लिकेशन में।
डुअल मोसफेट स्विच फीचर्स
वीडीएस = 100 वी आईडी = 50 ए
RDS (ON) <25mΩ @ VGS = 10V
पैकेज अंकन और आदेश सूचना
| उत्पाद आईडी | पैक | अंकन | मात्रा (पीसीएस) |
| AP50N10D | टू-252 | AP50N10D XXX YYYY | 2500 |
पूर्ण अधिकतम रेटिंग (T C = 25 ℃ जब तक अन्यथा नोट नहीं)
| प्रतीक | पैरामीटर | सीमा | इकाई |
| VDS | नाली-स्रोत वोल्टेज | 100 | वी |
| वीजीएस | गेट-सोर्स वोल्टेज | ± 20 | वी |
| आईडी | नाली चालू-निरंतर | 50 | ए |
| I (100 ℃) | नाली वर्तमान-निरंतर (टीसी = 100 ℃) | 21 | ए |
| IDM | स्पंदित नाली वर्तमान | 70 | ए |
| पीडी | अधिकतम शक्ति अपव्यय | 85 | डब्ल्यू |
| दर गिराने का कारक | 0.57 | डब्ल्यू / ℃ | |
| ईएएस | एकल नाड़ी हिमस्खलन ऊर्जा (नोट 5) | 256 | एमजे |
| टीजे, TSTG | ऑपरेटिंग जंक्शन और भंडारण तापमान रेंज | -55 से 175 | ℃ |
| RθJC | थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन से मामला (नोट 2) | 1.8 | ℃ / डब्ल्यू |
विद्युत अभिलक्षण (T C = 25 ℃ जब तक अन्यथा उल्लेख नहीं किया गया)
| प्रतीक | पैरामीटर | शर्त | मिन | प्रकार | मैक्स | इकाई |
| BVDSS | नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज | वीजीएस = 0 वी आईडी = 250μA | 100 | - | वी | |
| IDSS | ज़ीरो गेट वोल्टेज ड्रेन करंट | VDS = 100V, वीजीएस = 0V | - | - | 1 | μA |
| IGSS | गेट-बॉडी लीकेज करंट | वीजीएस = ± 20V, VDS = 0V | - | - | ± 100 | ना |
| वीजीएस (th) | गेट दहलीज वोल्टेज | वीडीएस = वीजीएस, आईडी = 250 μA | 1 | 3 | वी | |
| आरडीएस (ON) | नाली-स्रोत पर राज्य प्रतिरोध | वीजीएस = 10 वी, आईडी = 20 ए | - | 24 | 28 | mΩ |
| आरडीएस (ON) | नाली-स्रोत पर राज्य प्रतिरोध | वीजीएस = 4.5 वी, आईडी = 10 ए | - | 28 | 30 | mΩ |
| GFS | फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्शन | VDS = 5V, आईडी = 10A | - | 15 | - | एस |
| CLSS | इनपुट क्षमता | VDS = 25V, वीजीएस = 0V, एफ = 1.0MHz | - | 2000 | - | पीएफ |
| Coss | आउटपुट कैपेसिटेंस | - | 300 | - | पीएफ | |
| Crss | रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस | - | 250 | - | पीएफ | |
| टीडी (पर) | देरी समय चालू करें | VDD = 50V, आर एल = 5Ω वीजीएस = 10V, RGEN = 3Ω | - | 7 | - | एन एस |
आर टी | राइज-ऑन टाइम | - | 7 | - | एन एस | |
| टीडी (बंद) | टर्न-ऑफ देरी का समय | - | 29 | - | एन एस | |
च टी | टर्न-ऑफ फॉल टाइम | - | 7 | - | एन एस | |
| Qg | कुल गेट चार्ज | VDS = 50V, आईडी = 10A, वीजीएस = 10V | - | 39 | - | NC |
| Qgs | गेट-सोर्स चार्ज | - | 8 | - | NC | |
| Qgd | गेट-ड्रेन चार्ज | - | 12 | - | NC | |
| वी एस डी | डायोड फॉरवर्ड वोल्टेज (नोट 3) | वीजीएस = 0V, = 20A है | - | - | 1.2 | वी |
एस मैं | डायोड फॉरवर्ड करंट (नोट 2) | - | - | - | 30 | ए |
rr टी | रिवर्स रिकवरी टाइम | टीजे = 25 डिग्री सेल्सियस, आईएफ = 10 ए di / dt = 100A / μs (नोट 3) | - | 32 | - | एन एस |
| QRR | उल्टा रिकवरी चार्ज | - | 53 | - | NC | |
| टन | फॉरवर्ड टर्न-ऑन टाइम | आंतरिक मोड़ समय नगण्य है (टर्न-ऑन पर हावी है लोकसभा + एलडी) | ||||
टिप्पणियाँ:
1, दोहराव रेटिंग: पल्स चौड़ाई अधिकतम जंक्शन तापमान द्वारा सीमित।
2, FR4 बोर्ड पर चढ़ा हुआ सतह, टी। 10 सेकंड।
3, पल्स टेस्ट: पल्स चौड़ाई, 300 μs, ड्यूटी साइकिल। 2%।
4, डिजाइन द्वारा गारंटी, उत्पादन के अधीन नहीं है
5, ईएएस स्थिति: Tj = 25 ℃, VDD = 50V, VG = 10V, L = 0.5mH, Rg = 25 R, IAS = 32A
ध्यान
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5, इस घटना में कि किसी भी या सभी एपीएम माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उत्पादों (तकनीकी डेटा, सेवाओं सहित) का वर्णन किया गया है या उसमें निहित हैं, जो किसी भी लागू स्थानीय निर्यात नियंत्रण कानून और नियमों के तहत नियंत्रित हैं, ऐसे उत्पादों को अधिकारियों से निर्यात लाइसेंस प्राप्त किए बिना निर्यात नहीं किया जाना चाहिए। उपरोक्त कानून के अनुसार संबंधित।
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