HXY4606 30V Mosfet पावर ट्रांजिस्टर पूरक MOSFET RDS (ON) <30m

HXY4606 30V पूरक MOSFET

विवरण

HXY4606 उत्कृष्ट RDS (ON) और निम्न गेटचार्ज प्रदान करने के लिए उन्नत ट्रेंच टेक्नोलॉजीMOSFETs का उपयोग करता है। अनुपूरक MOSFETs का उपयोग टोफ़ॉर्म को एक स्तर पर स्थानांतरित किए गए उच्च पक्ष स्विच और एक मेजबान अभिषेक अनुप्रयोगों के लिए किया जा सकता है।

ए। आर A _जेए का मूल्य ² आईएन के साथ 1in ² FR-4 बोर्ड पर लगे डिवाइस से मापा जाता है। कॉपर, टी _ए = 25 डिग्री सेल्सियस के साथ अभी भी वायु वातावरण में।

किसी भी एप्लिकेशन में मूल्य उपयोगकर्ता के विशिष्ट बोर्ड डिजाइन पर निर्भर करता है।

B. बिजली अपव्यय P _D , T _{J (MAX)} = 150 ° C पर आधारित है, जो s 10 s जंक्शन-से-परिवेश थर्मल प्रतिरोध का उपयोग करता है। C। दोहराव की रेटिंग, जंक्शन तापमान टी _{जे (मैक्स)} = 150 डिग्री सेल्सियस द्वारा सीमित पल्स चौड़ाई। रेटिंग आरंभिक _J = 25 ° C रखने के लिए कम आवृत्ति और कर्तव्य चक्र पर आधारित हैं।

डी। आर The _जेए जंक्शन से थर्मल बाधा का योग है जो आर _{L जेएल} का नेतृत्व करता है और परिवेश का नेतृत्व करता है।

ई। आंकड़े 1 से 6 में स्थिर विशेषताएँ <300µ दालों, कर्तव्य चक्र 0.5% अधिकतम का उपयोग करके प्राप्त की जाती हैं।

एफ। ये वक्र जंक्शन-टू-एंबियंट थर्मल इम्पीडेंस पर आधारित हैं, जिसे ¹ ओन ² एफआर -4 बोर्ड पर ² ऑउंस के साथ लगे डिवाइस से मापा जाता है। कॉपर, टी _{जे (मैक्स)} = 150 ° C का अधिकतम जंक्शन तापमान मान रहा है। SOA वक्र एकल पल्स रेटिंग प्रदान करता है।