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उत्पाद विवरण:
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| उत्पाद का नाम: | mosfet सत्ता ट्रांजिस्टर | VDSS: | 6.0 ए |
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| मॉडल संख्या: | 8H02ETS | आवेदन: | ऊर्जा प्रबंधन |
| फ़ीचर: | लो गेट चार्ज | पावर Mosfet ट्रांजिस्टर: | एसओटी-23-6 एल प्लास्टिक-एनकैप्सुलेट |
| हाई लाइट: | उच्च वर्तमान mosfet स्विच,उच्च वोल्टेज ट्रांजिस्टर |
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20 वी एन + एन-चैनल एन्हांसमेंट मोड एमओएसएफईटी
विवरण
8H02ETSuses उन्नत ट्रेंच प्रौद्योगिकी को
उत्कृष्ट RDS (ON), कम गेट चार्ज और प्रदान करें
2.5V के रूप में गेट वोल्टेज के साथ संचालन कम है।
सामान्य विशेषताएं
वीडीएस = 20 वी, आईडी = 7 ए
8H02TS RDS (ON) <28m V @ VGS = 2.5V
RDS (ON) <26mΩ @ VGS = 3.1V
RDS (ON) <22mΩ @ VGS = 4V
RDS (ON) <20mΩ @ VGS = 4.5V
ईएसडी रेटिंग: 2000 वी एचबीएम
आवेदन
बैटरी की सुरक्षा
लोड स्विच पावर प्रबंधन
पैकेज अंकन और सूचना आदेश
| उत्पाद आइ डि | पैक | अंकन | मात्रा (पीसीएस) |
| 8H02ETS | TSSOP -8 | 8H02ETS WW YYYY | 5000/3000 |
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ℃ जब तक अन्यथा नोट नहीं)
| पैरामीटर | प्रतीक | सीमा | इकाई |
| नाली-स्रोत वोल्टेज | VDS | 20 | वी |
| गेट-सोर्स वोल्टेज | वीजीएस | ± 12 | वी |
| नाली चालू-निरंतर @ वर्तमान-स्पंदित (नोट 1) | आईडी | 7 | वी |
| अधिकतम शक्ति अपव्यय | पीडी | 1.5 | डब्ल्यू |
| ऑपरेटिंग जंक्शन और भंडारण तापमान रेंज | टीजे, TSTG | -55 से 150 | ℃ |
| थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन से परिवेश (नोट 2) | RθJA | 83 | ℃ / डब्ल्यू |
विद्युत प्रभार (टीए = 25 ℃ जब तक अन्यथा नोट)
व्यक्ति से संपर्क करें: David
