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उत्पाद विवरण:
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| उत्पाद का नाम: | mosfet सत्ता ट्रांजिस्टर | प्रकार: | mosfet ट्रांजिस्टर |
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| उत्पाद आइ डि: | 20G04S | VDS: | 40V |
| सुविधाएँ: | सतह माउंट पैकेज | वीजीएस: | ± 20V |
| हाई लाइट: | उच्च वर्तमान mosfet स्विच,उच्च वोल्टेज ट्रांजिस्टर |
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HXY4616 30V पूरक MOSFET
विवरण
HXY4616 उन्नत ट्रेन्च टेक्नॉलॉजी का उपयोग प्रोएक्सीसेंसर आरडीएस (ON) और कम गेट चार्ज के लिए करता है। यह इनपुट एन और पी चैनल MOSFET विन्यास कम इनपुट वोल्टेज इन्वर्टर अनुप्रयोगों के लिए आदर्श है।
A. R A JA का मान 1in A = 25 ° C पर लगे उपकरण से मापा जाता है। किसी भी दिए गए एप्लिकेशन में मूल्य उपयोगकर्ता के विशिष्ट बोर्ड डिज़ाइन पर निर्भर करता है। 2 FR-4 बोर्ड के साथ 2 ऑउंस। कॉपर, टी के साथ अभी भी वायु वातावरण में
B. बिजली अपव्यय P D , T J (MAX) = 150 ° C पर आधारित है, जो s 10 s जंक्शन-से-परिवेश थर्मल प्रतिरोध का उपयोग करता है। C। दोहराव की रेटिंग, जंक्शन तापमान टी जे (मैक्स) = 150 डिग्री सेल्सियस द्वारा सीमित पल्स चौड़ाई। रेटिंग आरंभिक J = 25 ° C रखने के लिए कम आवृत्ति और कर्तव्य चक्र पर आधारित हैं।
डी। आर The जेए जंक्शन से थर्मल बाधा का योग है जो आर L जेएल का नेतृत्व करता है और परिवेश का नेतृत्व करता है।
ई। आंकड़े 1 से 6 में स्थिर विशेषताएँ <300µ दालों, कर्तव्य चक्र 0.5% अधिकतम का उपयोग करके प्राप्त की जाती हैं।
एफ। ये वक्र जंक्शन-टू-एंबियंट थर्मल इम्पीडेंस पर आधारित हैं, जिसे 1 ओन 2 एफआर -4 बोर्ड पर 2 ऑउंस के साथ लगे डिवाइस से मापा जाता है। कॉपर, टी जे (मैक्स) = 150 ° C का अधिकतम जंक्शन तापमान मान रहा है। SOA वक्र एक एकल पल्स रटिन जी प्रदान करता है।
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