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उत्पाद विवरण:
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| मॉडल संख्या: | AP2302AGN-एचएफ | RoHs स्थिति:: | लीड मुक्त / RoHS आज्ञाकारी |
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| No input file specified.: | 100% मूल नया | डी / सी:: | नवीनतम |
| विवरण: | AP2302AGN-HF APEC | प्रकार:: | I C |
| हाई लाइट: | 1.38W पावर ट्रांजिस्टर आईसीएस,20A पावर ट्रांजिस्टर आईसीएस,AP2302AGN-HF APEC Mosfet ट्रांजिस्टर |
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विशिष्ट हॉट आईसीएस AP2302AGN-HF APEC AP2302AGN-HF
विवरण
AP2302A सीरीज़ एडवांस्ड पॉवर इनोवेटेड डिज़ाइन और सिलिकॉन प्रोसेस टेक्नोलॉजी से हैं, जो प्रतिरोध और तेज़ स्विचिंग परफॉर्मेंस को सबसे कम संभव करती है।यह डिज़ाइनर को एक विस्तृत कुशल उपकरण प्रदान करता है, जिसका उपयोग विभिन्न प्रकार के बिजली अनुप्रयोगों में किया जाता है।
अच्छे थर्मल प्रदर्शन के साथ विशेष डिजाइन एसओटी -23 पैकेज व्यापक रूप से सभी वाणिज्यिक-औद्योगिक सतह माउंट अनुप्रयोगों के लिए पसंद किया जाता है जो अवरक्त रिफ्लो तकनीक का उपयोग करते हैं और वोल्टेज रूपांतरण या स्विच अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त होते हैं।
पूर्ण अधिकतम रेटिंग @ टीजे= 25ओसी (जब तक अन्यथा निर्दिष्ट)
| प्रतीक | पैरामीटर | रेटिंग | इकाइयों |
| VDS | नाली-स्रोत वोल्टेज | 20 | वी |
| वीजीएस | गेट-सोर्स वोल्टेज | +8 | वी |
| मैंडी@Tए= 25 ℃ | नाली वर्तमान3, वीजी एस @ 4.5 वी | 4.6 | ए |
| मैंडी@Tए= 70 ℃ | नाली वर्तमान3, वीजी एस @ 4.5 वी | 3.7 | ए |
| IDM | स्पंदित नाली वर्तमान1 | 20 | ए |
| पीडी@Tए= 25 ℃ | कुल शक्ति अपव्यय | 1.38 | डब्ल्यू |
| TSTG | स्टोरेज टेंपरेचर रेंज | -55 से 150 | ℃ |
| टीजे | ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | -55 से 150 | ℃ |
थर्मल डाटा
| प्रतीक | पैरामीटर | मूल्य | इकाई |
| Rthj-एक | अधिकतम थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन-परिवेश3 | 90 | ℃ / डब्ल्यू |
AP2302AGN-एच
विद्युत विशेषताएँ @ टीजे= 25ओसी (जब तक अन्यथा निर्दिष्ट)
| प्रतीक | पैरामीटर | परीक्षण की स्थितियाँ | मिन। | प्रकार। | मैक्स। | इकाइयों |
| BVDSS | नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज | वीजी एस= 0 वी, आईडी= 250uA | 20 | - | - | वी |
| आरडीएस (ON) |
स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस2 |
वीजी एस= 4.5 वी, आईडी= 4 ए | - | - | 42 | mΩ |
| वीजी एस= 2.5 वी, आईडी= 3 ए | - | - | 60 | mΩ | ||
| वीजीएस (th) | गेट दहलीज वोल्टेज | वीडी एस= वीजी एस, मैंडी= 250uA | 0.3 | - | 1.2 | वी |
| gfs | फॉरवर्ड ट्रांसकनेक्टेंस | वीडी एस= 5 वी, आईडी= 4 ए | - | 14 | - | एस |
| IDSS | नाली-स्रोत रिसाव वर्तमान | वीडी एस= 16 वी, वीजी एस= 0V | - | - | 10 | uA |
| IGSS | गेट-सोर्स रिसाव | वीजी एस=+8 वी, वीडी एस= 0V | - | - | +100 | ना |
| क्यूजी | कुल गेट शुल्क2 |
मैंडी= 4 ए वीडी एस= 10V वीजी एस= 4.5V |
- | 6.5 | 10.5 | NC |
| Qgs | गेट-सोर्स चार्ज | - | 1 | - | NC | |
| Qgd | गेट-ड्रेन ("मिलर") शुल्क | - | 2.5 | - | NC | |
| टीडी (पर) | देरी समय चालू करें2 |
वीडी एस= 10 वी आईडी= 1 ए आरजी= 3.3Ω वीजी एस= 5V |
- | 9 | - | एनएस |
| टीआर | उठने का समय | - | 12 | - | एनएस | |
| टीडी (बंद) | देरी समय बंद करें | - | 16 | - | एनएस | |
| टीच | पतझड़ का समय | - | 5 | - | एनएस | |
| CISS | इनपुट क्षमता |
वीजी एस= 0 वी वीडी एस= 20V च = 1.0MHz |
- | 300 | 480 | pF |
| Coss | आउटपुट कैपेसिटेंस | - | 85 | - | pF | |
| Crss | रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस | - | 80 | - | pF | |
| आरजी | गेट प्रतिरोध | च = 1.0MHz | - | 2 | - | Ω |
सोर्स-ड्रेन डायोड
| प्रतीक | पैरामीटर | परीक्षण की स्थितियाँ | मिन। | प्रकार। | मैक्स। | इकाइयों |
| वी एस डी | वोल्टेज पर आगे2 | मैंएस= 1.2 ए, वीजी एस= 0V | - | - | 1.2 | वी |
| trr | ठीक होने का समय2 |
मैंएस= 4 ए, वीजी एस= 0V, डि / dt = 100A / μs |
- | 20 | - | एनएस |
| QRR | रिवर्स रिकवरी चार्ज | - | 10 | - | NC |
टिप्पणियाँ:
1. अधिकतम चौड़ाई मैक्स द्वारा सीमित है।जंक्शन तापमान।
2.पुल परीक्षण
3. सतह 1 पर घुड़सवार2 FR4 बोर्ड के तांबे के पैड, टी <10s;270 ℃ / डब्ल्यू जब मिनट पर मुहिम शुरू की।तांबे का पेड।
भुगतान:
हम भुगतान की शर्तें स्वीकार करते हैं: टेलीग्राफिक ट्रांसफर (टी / टी) अग्रिम में / पेपाल / वेस्टर्न यूनियन / एस्क्रो सेव या नेट टर्म (दीर्घकालिक सहयोग)।
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