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उत्पाद विवरण:
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| मॉडल संख्या:: | AP2N1K2EN1 | आपूर्तिकर्ता प्रकार: | मूल निर्माता, ओडीएम, एजेंसी, रिटेलर |
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| ब्रांड का नाम:: | मूल ब्रांड | बंडल का प्रकार: | SOT-723 (एन 1) |
| डी / सी: | नवीनतम | विवरण:: | ट्रांजिस्टर |
| हाई लाइट: | 800mA मॉसफेट ट्रांजिस्टर,0.15 डब्ल्यू मोसेफेट ट्रांजिस्टर,AP2N1K2EN1 आईसी चिप्स ट्रांजिस्टर |
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MOSFET ट्रांजिस्टर AP2N1K2EN1 मूल इलेक्ट्रॉनिक घटक / आईसी चिप्स
विवरण
AP2N1K2E सीरीज़ एडवांस्ड पावर इनोवेटेड डिज़ाइन और सिलिकॉन प्रोसेस टेक्नोलॉजी से हैं जो सबसे कम संभव ऑन-रेसिस्टेंस और फ़ास्ट स्विचिंग परफॉर्मेंस को प्राप्त करते हैं।यह डिज़ाइनर को एक विस्तृत कुशल उपकरण प्रदान करता है, जिसका उपयोग विभिन्न प्रकार के बिजली अनुप्रयोगों में किया जाता है।
बहुत छोटे पदचिह्न वाला SOT-723 पैकेज सभी वाणिज्यिक-औद्योगिक सतह माउंट अनुप्रयोग के लिए उपयुक्त है।
टिप्पणियाँ:
1. अधिकतम चौड़ाई मैक्स द्वारा सीमित है।जंक्शन तापमान।
2.पुल परीक्षण
3. सतह मिनट पर मुहिम शुरू की।FR4 बोर्ड का तांबा पैड
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| प्रतीक | पैरामीटर | रेटिंग | इकाइयों |
| VDS | नाली-स्रोत वोल्टेज | 20 | वी |
| वीजीएस | गेट-सोर्स वोल्टेज | +8 | वी |
| मैंडी@Tए= 25 ℃ | नाली वर्तमान3, वीजी एस @ 2.5 वी | 200 | एमए |
| IDM | स्पंदित नाली वर्तमान1 | 400 | एमए |
| मैंएस@Tए= 25 ℃ | स्रोत वर्तमान (शारीरिक डायोड) | 125 | एमए |
| भारतीय चिकित्सा पद्धति | स्पंदित स्रोत करंट1(बॉडी डायोड) | 800 | एमए |
| पीडी@Tए= 25 ℃ | कुल शक्ति अपव्यय | 0.15 | डब्ल्यू |
| TSTG | स्टोरेज टेंपरेचर रेंज | -55 से 150 | ℃ |
| टीजे | ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | -55 से 150 | ℃ |
थर्मल डाटा
| प्रतीक | पैरामीटर | मूल्य | इकाई |
| Rthj-एक | अधिकतम थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन-परिवेश3 | 833 | ℃ / डब्ल्यू |
AP2N1K2EN
| प्रतीक | पैरामीटर | परीक्षण की स्थितियाँ | मिन। | प्रकार। | मैक्स। | इकाइयों |
| BVDSS | नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज | वीजी एस= 0 वी, आईडी= 250uA | 20 | - | - | वी |
| आरडीएस (ON) | स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस2 | वीजी एस= 2.5 वी, आईडी= 200mA | - | - | 1.2 | Ω |
| वीजी एस= 1.8 वी, आईडी= 200mA | - | - | 1.4 | Ω | ||
| वीजी एस= 1.5 वी, आईडी= 40mA | - | - | 2.4 | Ω | ||
| वीजी एस= 1.2 वी, आईडी= 20mA | - | - | 4.8 | Ω | ||
| वीजीएस (th) | गेट दहलीज वोल्टेज | वीडी एस= वीजी एस, मैंडी= 1mA | 0.3 | - | 1 | वी |
| gfs | फॉरवर्ड ट्रांसकनेक्टेंस | वीडी एस= 10 वी, आईडी= 200mA | - | 1.8 | - | एस |
| IDSS | नाली-स्रोत रिसाव वर्तमान | वीडी एस= 16 वी, वीजी एस= 0V | - | - | 10 | uA |
| IGSS | गेट-सोर्स रिसाव | वीजी एस=+8 वी, वीडी एस= 0V | - | - | +30 | uA |
| क्यूजी | कुल गेट शुल्क |
मैंडी= 200mA वीडी एस= 10V वीजी एस= 2.5V |
- | 0.7 | - | NC |
| Qgs | गेट-सोर्स चार्ज | - | 0.2 | - | NC | |
| Qgd | गेट-ड्रेन ("मिलर") शुल्क | - | 0.2 | - | NC | |
| टीडी (पर) | देरी समय चालू करें | वीडी एस= 10V | - | 2 | - | एनएस |
| टीआर | उठने का समय | मैंडी= 150mA | - | 10 | - | एनएस |
| टीडी (बंद) | देरी समय बंद करें | आरजी= 10Ω | - | 30 | - | एनएस |
| टीच | पतझड़ का समय | .Vजीएस= 5V | - | 16 | - | एनएस |
| CISS | इनपुट क्षमता |
वीजी एस= 0V वीडी एस= 10V f = 1.0MHz |
- | 44 | - | pF |
| Coss | आउटपुट कैपेसिटेंस | - | 14 | - | pF | |
| Crss | रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस | - | 10 | - | pF |
सोर्स-ड्रेन डायोड
| प्रतीक | पैरामीटर | परीक्षण की स्थितियाँ | मिन। | प्रकार। | मैक्स। | इकाइयों |
| वी एस डी | वोल्टेज पर आगे2 | मैंएस= 0.13 ए, वीजी एस= 0V | - | - | 1.2 | वी |
व्यक्ति से संपर्क करें: David
