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B772 हाई पावर PNP ट्रांजिस्टर स्विच, टिप PNP ट्रांजिस्टर सर्किट

प्रमाणन
चीन Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd प्रमाणपत्र
चीन Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
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B772 हाई पावर PNP ट्रांजिस्टर स्विच, टिप PNP ट्रांजिस्टर सर्किट

B772 हाई पावर PNP ट्रांजिस्टर स्विच, टिप PNP ट्रांजिस्टर सर्किट
B772 हाई पावर PNP ट्रांजिस्टर स्विच, टिप PNP ट्रांजिस्टर सर्किट

बड़ी छवि :  B772 हाई पावर PNP ट्रांजिस्टर स्विच, टिप PNP ट्रांजिस्टर सर्किट

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: शेन्ज़ेन चीन
ब्रांड नाम: Hua Xuan Yang
प्रमाणन: RoHS、SGS
मॉडल संख्या: B772
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1000-2000 PCS
मूल्य: Negotiated
पैकेजिंग विवरण: बॉक्सिंग
प्रसव के समय: 1 - 2 सप्ताह
भुगतान शर्तें: एल / सीटी / टी वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 18,000,000 PCS / प्रति दिन

B772 हाई पावर PNP ट्रांजिस्टर स्विच, टिप PNP ट्रांजिस्टर सर्किट

वर्णन
कलेक्टर शक्ति अपव्यय: 1.25W VCEO: -30V
VEBO: -6V उत्पाद का नाम: अर्धचालक ट्रायोड प्रकार
TJ: 150℃ प्रकार: ट्रायोड ट्रांजिस्टर
हाई लाइट:

टिप pnp ट्रांजिस्टर

,

उच्च शक्ति pnp ट्रांजिस्टर

TO-126 प्लास्टिक-एनकैप्सुलेट ट्रांजिस्टर B772 ट्रांजिस्टर (PNP)

सुविधा


लो स्पीड स्विचिंग

अंकन

B772 = डिवाइस कोड

सॉलिड डॉट = ग्रीन मोल्डिंग कंपाउंड डिवाइस, यदि कोई नहीं है, तो सामान्य डिवाइस XX = कोड

आदेश की जानकारी

भाग संख्या पैकेज पैकिंग विधि पैक की मात्रा
B772 को-126 थोक 200pcs / बैग
B772-टीयू को-126 ट्यूब 60pcs / ट्यूब


अधिकतम रैंकिंग (T a = 25 noted जब तक अन्यथा नोट न की गई हो)

प्रतीक पैरामीटर मूल्य इकाई
वी CBO कलेक्टर-बेस वोल्टेज -40 वी
वी के सीईओ कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज -30 वी
वी ईबीओ एमिटर-बेस वोल्टेज -6 वी
मैं सी कलेक्टर करंट -सांझ -3
पी सी कलेक्टर शक्ति अपव्यय 1.25 डब्ल्यू
आर ӨJA जंक्शन से एम्बिएंट तक थर्मल प्रतिरोध 100 ℃ / डब्ल्यू
टी जे जंक्शन तापमान 150
T stg भंडारण तापमान -55-150


विद्युत विशेषतायें

T a = 25 Š जब तक अन्यथा निर्दिष्ट न हो


पैरामीटर प्रतीक परीक्षण की स्थिति मिन प्रकार मैक्स इकाई
कलेक्टर-बेस ब्रेकडाउन वोल्टेज वी (BR) सीबीओ I C = -100μA, I E = 0 -40 वी
कलेक्टर-एमिटर ब्रेकडाउन वोल्टेज वी (BR) के मुख्य कार्यकारी अधिकारी I C = -10mA, I B = 0 -30 वी
एमिटर-बेस ब्रेकडाउन वोल्टेज वी (BR) EBO I E = -100μA, I C = 0 -6 वी
कलेक्टर कट-ऑफ करंट ICBO वी सीबी = -40 वी, आई = 0 -1 μA
कलेक्टर कट-ऑफ करंट ICEO वी सीई = -30 वी, आई बी = 0 -10 μA
एमिटर कट-ऑफ करंट IEBO वी ईबी = -6 वी, आई सी = 0 -1 μA
डीसी वर्तमान लाभ hFE वी सीई = -2 वी, आई सी = -1 60 400
कलेक्टर-एमिटर संतृप्ति वोल्टेज वी सी इ (बैठे) I C = -2A, I B = -0.2A -0.5 वी
बेस-एमिटर संतृप्ति वोल्टेज VBE (बैठे) I C = -2A, I B = -0.2A -1.5 वी

संक्रमण की आवृत्ति

फुट

वी सीई = -5 वी, आई सी = -0.1 ए

f = 10MHz

50

80

मेगाहर्ट्ज


एच फे (2) का वर्गीकरण

श्रेणी आर हे Y जीआर
रेंज 60-120 100-200 160-320 200-400


विशेष लक्षण

पैकेज रूपरेखा आयाम

प्रतीक मिलीमीटर में आयाम इंचों में आयाम
मिन मैक्स मिन मैक्स
3.300 3.700 0.130 0.146
ए 1 1.100 1.400 0.043 0.055
0.380 0.550 0.015 0.022
सी 0.360 0.510 0.014 0.020
डी 4.300 4.700 0.169 0.185
डी 1 3.430 0.135
4.300 4.700 0.169 0.185
1.270 TYP लब TYP
E1 2.440 2.640 0.096 0.104
एल 14.100 14.500 0.555 0.571
0 1.600 0.063
0.000 0.380 0.000 0.015



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