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MMBTA55 NPN सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर SOT-23 प्लास्टिक अतिक्रमित ट्रांजिस्टर

प्रमाणन
चीन Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd प्रमाणपत्र
चीन Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
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MMBTA55 NPN सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर SOT-23 प्लास्टिक अतिक्रमित ट्रांजिस्टर

MMBTA55 NPN सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर SOT-23 प्लास्टिक अतिक्रमित ट्रांजिस्टर
MMBTA55 NPN सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर SOT-23 प्लास्टिक अतिक्रमित ट्रांजिस्टर MMBTA55 NPN सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर SOT-23 प्लास्टिक अतिक्रमित ट्रांजिस्टर

बड़ी छवि :  MMBTA55 NPN सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर SOT-23 प्लास्टिक अतिक्रमित ट्रांजिस्टर

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: शेन्ज़ेन चीन
ब्रांड नाम: Hua Xuan Yang
प्रमाणन: RoHS、SGS
मॉडल संख्या: MMBTA55
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1000-2000 PCS
मूल्य: Negotiated
पैकेजिंग विवरण: बॉक्सिंग
प्रसव के समय: 1 - 2 सप्ताह
भुगतान शर्तें: एल / सीटी / टी वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 18,000,000 PCS / प्रति दिन

MMBTA55 NPN सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर SOT-23 प्लास्टिक अतिक्रमित ट्रांजिस्टर

वर्णन
जंक्शन तापमान: 150 ℃ प्रकार: ट्रायोड ट्रांजिस्टर
आवेदन: मोबाइल बिजली की आपूर्ति / एलईडी ड्राइवर / मोटर नियंत्रण सामग्री: सिलिकॉन
कलेक्टर वर्तमान: 600 mA भंडारण तापमान: -55 ~ + 150 ℃
हाई लाइट:

उच्च आवृत्ति ट्रांजिस्टर

,

बिजली mosfet ट्रांजिस्टर

SOT-23 प्लास्टिक-एनकैप्सुलेट ट्रांजिस्टर MMBTA55 ट्रांजिस्टर (NPN)

सुविधा

एल चालक ट्रांजिस्टर

अंकन: 2 एच

अधिकतम रैंकिंग (टा = 25 ℃ जब तक अन्यथा नोट नहीं)

प्रतीक पैरामीटर मूल्य इकाई
वी CBO कलेक्टर-बेस वोल्टेज -60 वी
वी के सीईओ कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज -60 वी
वी ईबीओ एमिटर-बेस वोल्टेज -4 वी
मैं सी कलेक्टर वर्तमान -500 एमए
पी सी कलेक्टर शक्ति अपव्यय 225 मेगावाट
आर ΘJA जंक्शन से परिवेश तक थर्मल प्रतिरोध 556 ℃ / डब्ल्यू
टी जे जंक्शन तापमान 150
T stg भंडारण तापमान -55 ~ + 150




विद्युत प्रभार (टा = 25 ℃ जब तक अन्यथा निर्दिष्ट नहीं)

पैरामीटर प्रतीक परीक्षण की स्थितियाँ मिन प्रकार मैक्स इकाई
कलेक्टर-बेस ब्रेकडाउन वोल्टेज वी (BR) सीबीओ आईसी = -100µ ए, आईई = 0 -60 वी
कलेक्टर-एमिटर ब्रेकडाउन वोल्टेज वी (BR) के मुख्य कार्यकारी अधिकारी आईसी = -1mA, आईबी = 0 -60 वी
एमिटर-बेस ब्रेकडाउन वोल्टेज वी (BR) EBO IE = -100µA, आईसी = 0 -4 वी
कलेक्टर कट-ऑफ करंट ICBO वीसीबी = -60 वी, आईई = 0 -0.1 μA
कलेक्टर कट-ऑफ करंट ICEO वीसीई = -60 वी, आईबी = 0 -0.1 μA
डीसी वर्तमान लाभ hFE (1) वीसीई = -1 वी, आईसी = -10mA 100 400
hFE (2) वीसीई = -1 वी, आईसी = -100mA 100
कलेक्टर-एमिटर संतृप्ति वोल्टेज वी सी इ (बैठे) आईसी = -100mA, आईबी = -10mA -0.25 वी
बेस-एमिटर वोल्टेज VBE वीसीई = -1 वी, आईसी = -100mA -1.2 वी
संक्रमण की आवृत्ति फुट VCE = -1 V, IC = -100mA, f = 100MHz 50 मेगाहर्ट्ज



पैकेज रूपरेखा आयाम

प्रतीक मिलीमीटर में आयाम इंचों में आयाम
मिन मैक्स मिन मैक्स
0.900 1.150 0.035 0.045
ए 1 0.000 0.100 0.000 0.004
ए 2 0.900 1.050 0.035 0.041
0.300 0.500 0.012 0.020
सी 0.080 0.150 0.003 0.006
डी 2.800 3.000 0.110 0.118
1.200 1.400 0.047 0.055
ई 1 2.250 2.550 0.089 0.100
0.950 TYP 0.037 TYP
E1 1.800 2.000 0.071 0.079
एल 0.550 आरईएफ 0.022 आरईएफ
एल 1 0.300 0.500 0.012 0.020
θ 0 डिग्री 8 ° 0 डिग्री 8 °









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