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SOT-23 MMBTA44 NPN सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर कलेक्टर वर्तमान 600 एमए

प्रमाणन
चीन Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd प्रमाणपत्र
चीन Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
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SOT-23 MMBTA44 NPN सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर कलेक्टर वर्तमान 600 एमए

SOT-23 MMBTA44 NPN सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर कलेक्टर वर्तमान 600 एमए
SOT-23 MMBTA44 NPN सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर कलेक्टर वर्तमान 600 एमए

बड़ी छवि :  SOT-23 MMBTA44 NPN सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर कलेक्टर वर्तमान 600 एमए

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: शेन्ज़ेन चीन
ब्रांड नाम: Hua Xuan Yang
प्रमाणन: RoHS、SGS
मॉडल संख्या: MMBTA44
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1000-2000 PCS
मूल्य: Negotiated
पैकेजिंग विवरण: बॉक्सिंग
प्रसव के समय: 1 - 2 सप्ताह
भुगतान शर्तें: एल / सीटी / टी वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 18,000,000 PCS / प्रति दिन

SOT-23 MMBTA44 NPN सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर कलेक्टर वर्तमान 600 एमए

वर्णन
जंक्शन तापमान: 150 ℃ प्रकार: ट्रायोड ट्रांजिस्टर
आवेदन: मोबाइल बिजली की आपूर्ति / एलईडी ड्राइवर / मोटर नियंत्रण सामग्री: सिलिकॉन
कलेक्टर वर्तमान: 600 mA भंडारण तापमान: -55 ~ + 150 ℃
हाई लाइट:

पावर स्विच ट्रांजिस्टर

,

पावर मस्जिद ट्रांजिस्टर

SOT-23 प्लास्टिक-एनकैप्सुलेट ट्रांजिस्टर MMBTA44 ट्रांजिस्टर (NPN)

सुविधा

ट्रांजिस्टर स्विचिंग

अंकन: 2X

अधिकतम रैंकिंग (टा = 25 ℃ जब तक अन्यथा नोट नहीं)

प्रतीक पैरामीटर मूल्य इकाई
V CBO कलेक्टर-बेस वोल्टेज 60 वी
वी के सीईओ कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज 40 वी
वी ईबीओ एमिटर-बेस वोल्टेज 6 वी
मैं सी कलेक्टर वर्तमान 600 एमए
पी सी कलेक्टर शक्ति अपव्यय 300 मेगावाट
आर ΘJA जंक्शन से परिवेश तक थर्मल प्रतिरोध 417 ℃ / डब्ल्यू
टी जे जंक्शन तापमान 150
T stg भंडारण तापमान -55 ~ + 150




विद्युत प्रभार (टा = 25 ℃ जब तक अन्यथा निर्दिष्ट नहीं)

पैरामीटर प्रतीक परीक्षण की स्थितियाँ मिन प्रकार मैक्स इकाई
कलेक्टर-बेस ब्रेकडाउन वोल्टेज वी (BR) सीबीओ I C = 100μA, I E = 0 60 वी
कलेक्टर-एमिटर ब्रेकडाउन वोल्टेज वी (BR) के मुख्य कार्यकारी अधिकारी I C = 1mA, I B = 0 40 वी
एमिटर-बेस ब्रेकडाउन वोल्टेज वी (BR) EBO I E = 100μA, I C = 0 6 वी
कलेक्टर कट-ऑफ करंट ICBO V CB = 50V, I E = 0 0.1 μA
कलेक्टर कट-ऑफ करंट आईसीईएक्स वीसीई = 35 वी, वीईबी = 0.4 वी 0.1 μA
एमिटर कट-ऑफ करंट IEBO वी ईबी = 5 वी, आई सी = 0 0.1 μA

डीसी वर्तमान लाभ

hFE1 वी सीई = 1 वी, आई सी = 0.1mA 20
hFE2 वी सीई = 1 वी, आई सी = 1mA 40
hFE3 वी सीई = 1 वी, आई सी = 10mA 80
hFE4 वी सीई = 1 वी, आई सी = 150mA 100 300
hFE5 वी सीई = 2 वी, आई सी = 500mA 40

कलेक्टर-एमिटर संतृप्ति वोल्टेज

वी सी इ (बैठे)

I C = 150mA, I B = 15mA 0.4 वी
I C = 500mA, I B = 50mA 0.75 वी

बेस-एमिटर संतृप्ति वोल्टेज

VBE (बैठे)

I C = 150mA, I B = 15mA 0.95 वी
I C = 500mA, I B = 50mA 1.2 वी
संक्रमण की आवृत्ति एफ टी V CE = 10V, I C = 20mA, f = 100MHz 250 मेगाहर्ट्ज
विलम्ब t d

वीसीसी = 30 वी, वीबीई (ऑफ) = - 2 वी

IC = 150mA, IB1 = 15mA

15 एनएस
उठने का समय t r 20 एनएस
भण्डारण समय टी एस

वीसीसी = 30 वी, आईसी = 150mA

IB1 = IB2 = 15mA

225 एनएस
पतझड़ का समय टी 60 एनएस



स्पंदित स्थितियों के तहत मापा जाता है, पल्स चौड़ाई = 300μs, ड्यूटी चक्र %2%।



विशिष्ट चरित्र




पैकेज रूपरेखा आयाम

प्रतीक मिलीमीटर में आयाम इंचों में आयाम
मिन मैक्स मिन मैक्स
0.900 1.150 0.035 0.045
ए 1 0.000 0.100 0.000 0.004
ए 2 0.900 1.050 0.035 0.041
0.300 0.500 0.012 0.020
सी 0.080 0.150 0.003 0.006
डी 2.800 3.000 0.110 0.118
1.200 1.400 0.047 0.055
ई 1 2.250 2.550 0.089 0.100
0.950 TYP 0.037 TYP
E1 1.800 2.000 0.071 0.079
एल 0.550 आरईएफ 0.022 आरईएफ
एल 1 0.300 0.500 0.012 0.020
θ 0 डिग्री 8 ° 0 डिग्री 8 °









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