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AP12N10D पावर स्विच ट्रांजिस्टर, मूल सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर

प्रमाणन
चीन Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd प्रमाणपत्र
चीन Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
हम हुआ जुआन यांग के साथ सहयोग बड़े पैमाने पर उनके व्यावसायिकता के कारण करते हैं, उनके लिए आवश्यक उत्पादों के अनुकूलन के लिए उनकी गहरी प्रतिक्रिया, हमारी सभी जरूरतों का निपटान और, सबसे बढ़कर, वे गुणवत्ता सेवाओं का प्रावधान करते हैं।

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AP12N10D पावर स्विच ट्रांजिस्टर, मूल सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर

AP12N10D पावर स्विच ट्रांजिस्टर, मूल सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर
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बड़ी छवि :  AP12N10D पावर स्विच ट्रांजिस्टर, मूल सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: शेन्ज़ेन चीन
ब्रांड नाम: Hua Xuan Yang
प्रमाणन: RoHS、SGS
मॉडल संख्या: AP12N10D
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: येट्रियममोल भाव
मूल्य: Negotiated
पैकेजिंग विवरण: बॉक्स्ड
प्रसव के समय: 1 - 2 सप्ताह
भुगतान शर्तें: एल / सीटी / टी वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 18,000,000 PCS / प्रति दिन

AP12N10D पावर स्विच ट्रांजिस्टर, मूल सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर

वर्णन
उत्पाद का नाम: पावर स्विच ट्रांजिस्टर नमूना: AP12N10D
पैक: के लिए 252 अंकन: AP12N10D
VDSDrain- स्रोत वोल्टेज: 100V VGSGate-Sou rce वोल्ट: ± 20A
हाई लाइट:

एन चैनल mosfet ट्रांजिस्टर

,

उच्च वोल्टेज ट्रांजिस्टर

AP12N10D पावर स्विच ट्रांजिस्टर, मूल सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर

सामान्य विवरण:

AP12N10D उन्नत ट्रेंच तकनीक का उपयोग करता है
उत्कृष्ट RDS (ON), कम गेट चार्ज और प्रदान करने के लिए
गेट वोल्टेज के साथ ऑपरेशन 4.5V जितना कम। इस
डिवाइस एक के रूप में उपयोग के लिए उपयुक्त है
बैटरी सुरक्षा या अन्य स्विचिंग एप्लिकेशन में।

सामान्य विशेषताएं

वीडीएस = 100 वी आईडी = 5 ए
RDS (ON) <140mΩ @ VGS = 4.5V

आवेदन

बैटरी की सुरक्षा
लोड स्विच
अबाधित विद्युत आपूर्ति

पैकेज अंकन और आदेश सूचना

उत्पाद आईडी पैक अंकन मात्रा (पीसीएस)
AP12N10D टू-252 AP12N10D 3000

जब तक अन्यथा उल्लेख नहीं किया जाता है, तब तक Tj = 25 ℃ पर पूर्ण अधिकतम रेटिंग

पैरामीटर प्रतीक मूल्य इकाई
नाली स्रोत वोल्टेज VDS 100 वी
गेट स्रोत वोल्टेज वीजीएस ± 20 वी
निरंतर नाली वर्तमान, टीसी = 25 ℃ आईडी 12
स्पंदित ड्रेन करंट, T = 25 ℃ आईडी, पल्स 24
बिजली अपव्यय, टीसी = 25 ℃

पी

डी

17 डब्ल्यू
एकल स्पंदित हिमस्खलन ऊर्जा 5) ईएएस 1.2 एमजे
संचालन और भंडारण तापमान Tstg, Tj -55 से 150
थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन-केस RθJC 7.4 ℃ / डब्ल्यू
थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन-परिवेश 4) RθJA 62 ℃ / डब्ल्यू

Tj = 25 ℃ पर विद्युत अभिलक्षण जब तक अन्यथा निर्दिष्ट न हो

प्रतीक पैरामीटर परीक्षण की स्थिति मिन। प्रकार। मैक्स। इकाई
BVDSS नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज वी = 0 वी, आईडी = 250 μA 100 वी
वीजीएस (th) गेट दहलीज वोल्टेज वी = वी, आईडी = 250 μA 1.2 1.5 2.5 वी
आरडीएस (ON) राज्य-प्रतिरोध पर नाली-स्रोत वीजीएस = 10 वी, आईडी = 5 ए 110 140
आरडीएस (ON) राज्य-प्रतिरोध पर नाली-स्रोत वी = 4.5 वी, आईडी = 3 ए 140 180

IGSS

गेट-सोर्स लीकेज करंट

वी = 20 वी 100

ना

वी = -20 वी -100
IDSS नाली-स्रोत रिसाव वर्तमान वीडीएस = 100 वी, वीजीएस = 0 वी 1 uA
CISS इनपुट समाई वी = 0 वी, 206.1 pF
Coss आउटपुट कैपेसिटी 28.9 pF
Crss रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस 1.4 pF
टीडी (पर) विलंब से चालू करें

वीजीएस = 10 वी,

वीडीएस = 50 वी,

14.7 एनएस
टीआर उठने का समय 3.5 एनएस
टीडी (बंद) देरी से बंद होने का समय 20.9 एनएस

टी

पतझड़ का समय 2.7 एनएस
Qg कुल गेट चार्ज 4.3 NC
Qgs गेट-सोर्स चार्ज 1.5 NC
Qgd गेट-ड्रेन चार्ज 1.1 NC
Vplateau गेट पठार वोल्टेज 5.0 वी
है डायोड आगे वर्तमान

वीजीएस <Vth

7

आईएसपी स्पंदित स्रोत करंट 21
वी एस डी डायोड आगे वोल्टेज आईएस = 7 ए, वीजीएस = 0 वी 1.0 वी

टी

rr

ठीक होने का समय 32.1 एनएस
QRR रिवर्स रिकवरी चार्ज 39.4 NC
Irrm पीक रिवर्स रिकवरी करंट 2.1
प्रतीक पैरामीटर परीक्षण की स्थिति मिन। प्रकार। मैक्स। इकाई
BVDSS नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज वी = 0 वी, आईडी = 250 μA 100 वी
वीजीएस (th) गेट दहलीज वोल्टेज वी = वी, आईडी = 250 μA 1.2 1.5 2.5 वी
आरडीएस (ON) राज्य-प्रतिरोध पर नाली-स्रोत वीजीएस = 10 वी, आईडी = 5 ए 110 140
आरडीएस (ON) राज्य-प्रतिरोध पर नाली-स्रोत वी = 4.5 वी, आईडी = 3 ए 140 180

IGSS

गेट-सोर्स लीकेज करंट

वी = 20 वी 100

ना

वी = -20 वी -100
IDSS नाली-स्रोत रिसाव वर्तमान वीडीएस = 100 वी, वीजीएस = 0 वी 1 uA
CISS इनपुट समाई वी = 0 वी, 206.1 pF
Coss आउटपुट कैपेसिटी 28.9 pF
Crss रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस 1.4 pF
टीडी (पर) विलंब से चालू करें

वीजीएस = 10 वी,

वीडीएस = 50 वी,

14.7 एनएस
टीआर उठने का समय 3.5 एनएस
टीडी (बंद) देरी से बंद होने का समय 20.9 एनएस

टी

पतझड़ का समय 2.7 एनएस
Qg कुल गेट चार्ज आईडी = 5 ए,
वीडीएस = 50 वी,
वीजीएस = 10 वी
4.3 NC
Qgs गेट-सोर्स चार्ज 1.5 NC
Qgd गेट-ड्रेन चार्ज 1.1 NC
Vplateau गेट पठार वोल्टेज 5.0 वी
है डायोड आगे वर्तमान

वीजीएस <Vth

7

आईएसपी स्पंदित स्रोत करंट 21
वी एस डी डायोड आगे वोल्टेज आईएस = 7 ए, वीजीएस = 0 वी 1.0 वी

टी

rr

ठीक होने का समय IS = 5 A, di / dt = 100
ए / μs
32.1 एनएस
QRR रिवर्स रिकवरी चार्ज 39.4 NC
Irrm पीक रिवर्स रिकवरी करंट 2.1

ध्यान

1, किसी भी और सभी एपीएम माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उत्पादों में वर्णित या सम्‍मिलित ऐसे विनिर्देशन नहीं हैं जो उन अनुप्रयोगों को संभाल सकते हैं जिनके लिए अत्यधिक उच्च स्तर की विश्वसनीयता की आवश्यकता होती है, जैसे कि जीवन समर्थन प्रणाली, विमान के नियंत्रण प्रणाली, या अन्य अनुप्रयोग जिनकी विफलता के परिणामस्वरूप परिणाम की उम्मीद की जा सकती है। गंभीर शारीरिक और / या भौतिक क्षति। इस तरह के अनुप्रयोगों में वर्णित या निहित किसी भी एपीएम माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उत्पादों का उपयोग करने से पहले अपने एपीएम माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक प्रतिनिधि से संपर्क करें।

2, APM माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उपकरण विफलताओं के लिए कोई जिम्मेदारी नहीं मानता है कि किसी भी और सभी APP माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उत्पादों के उत्पादों के विनिर्देशों में सूचीबद्ध मूल्यों से अधिक, यहां तक ​​कि मूल्यांकित मान (जैसे अधिकतम रेटिंग, परिचालन स्थिति सीमा, या अन्य पैरामीटर) पर उत्पादों का उपयोग करने के परिणामस्वरूप कोई जिम्मेदारी नहीं लेता है। यहाँ वर्णित या सम्‍मिलित है।

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4, एपीएम माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक सेमीकंडक्टर कं, लि। उच्च गुणवत्ता वाले उच्च विश्वसनीयता वाले उत्पादों की आपूर्ति करने का प्रयास करता है। हालांकि, कोई भी और सभी अर्धचालक उत्पाद कुछ संभावना के साथ विफल हो जाते हैं। यह संभव है कि ये संभाव्य विफलताएं उन दुर्घटनाओं या घटनाओं को जन्म दे सकती हैं जो मानव जीवन को खतरे में डाल सकती हैं जो धुएं या आग को जन्म दे सकती हैं, या जो अन्य संपत्ति को नुकसान पहुंचा सकती हैं। व्हाट्सएपिंग उपकरण, सुरक्षा उपायों को अपनाएं ताकि इस प्रकार की दुर्घटनाएं या घटनाएं न घटें। इस तरह के उपायों में सुरक्षित डिजाइन, निरर्थक डिजाइन, और संरचनात्मक डिजाइन के लिए सुरक्षात्मक सर्किट और त्रुटि निवारण सर्किट तक सीमित नहीं हैं।

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