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उत्पाद विवरण:
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| उत्पाद का नाम: | mosfet सत्ता ट्रांजिस्टर | नमूना: | AP6H06S |
|---|---|---|---|
| पैक: | शराबी-8 | अंकन: | AP6H06S |
| VDSDrain- स्रोत वोल्टेज: | 60V | VGSGate-Sou rce वोल्ट: | ± 20A |
| हाई लाइट: | एन चैनल mosfet ट्रांजिस्टर,उच्च वोल्टेज ट्रांजिस्टर |
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फास्ट स्विचिंग मॉसफेट पावर ट्रांजिस्टर AP6H06S 6A 60V अनुकूलित
मोसफेट पावर ट्रांजिस्टर परिचय
MOSFET प्रौद्योगिकी कई बिजली अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए आदर्श है, जहां प्रतिरोध पर कम स्विच उच्च स्तर की दक्षता प्राप्त करने में सक्षम बनाता है।
विभिन्न प्रकार की शक्ति MOSFET की विभिन्न किस्मों में उपलब्ध है, प्रत्येक की अपनी विशेषताओं और क्षमताओं के साथ।
कई शक्ति MOSFETs एक ऊर्ध्वाधर संरचना टोपोलॉजी को शामिल करते हैं। यह अपेक्षाकृत छोटे डाई क्षेत्र के भीतर उच्च दक्षता के साथ उच्च वर्तमान स्विचिंग को सक्षम करता है। यह डिवाइस को उच्च वर्तमान और वोल्टेज स्विचिंग का समर्थन करने में भी सक्षम बनाता है।
सामान्य विशेषताएं
वीडीएस = 60 वी आईडी = 6 ए
RDS (ON) <35mΩ @ VGS = 10V
आवेदन
बैटरी की सुरक्षा
लोड स्विच
अबाधित विद्युत आपूर्ति
पैकेज अंकन और आदेश सूचना
| उत्पाद आईडी | पैक | अंकन | मात्रा (पीसीएस) |
| AP6H06S | एसओपी-8 | AP6H06S | 3000 |
पूर्ण अधिकतम रेटिंग (T A = 25 ℃ जब तक अन्यथा नोट नहीं)
| पैरामीटर | प्रतीक | सीमा | इकाई |
| नाली-स्रोत वोल्टेज | VDS | 60 | वी |
| गेट-सोर्स वोल्टेज | वीजीएस | ± 20 | वी |
| नाली चालू-निरंतर | आईडी | 6 | ए |
| नाली वर्तमान-निरंतर (टीसी = 100 ℃) | आईडी (100 ℃) | 3.5 | ए |
| स्पंदित नाली वर्तमान | IDM | 24 | ए |
| अधिकतम शक्ति अपव्यय | पीडी | 2 | डब्ल्यू |
| ऑपरेटिंग जंक्शन और भंडारण तापमान रेंज | टीजे, TSTG | -55 से 150 | ℃ |
| थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन से परिवेश (नोट 2) | RθJA | 62.5 | ℃ / डब्ल्यू |
विद्युत अभिलक्षण (T A = 25 ℃ जब तक अन्यथा उल्लेख नहीं किया गया)
| पैरामीटर | प्रतीक | शर्त | मिन | प्रकार | मैक्स | इकाई |
| नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज | BVDSS | वीजीएस = 0 वी आईडी = 250μA | 60 | - | - | वी |
| ज़ीरो गेट वोल्टेज ड्रेन करंट | IDSS | VDS = 60V, वीजीएस = 0V | - | - | 1 | μA |
| गेट-बॉडी लीकेज करंट | IGSS | वीजीएस = ± 20V, VDS = 0V | - | - | ± 100 | ना |
| गेट दहलीज वोल्टेज | वीजीएस (th) | VDS = वीजीएस, आईडी = 250μA | 1.2 | 1.6 | 2.5 | वी |
नाली-स्रोत ऑन-स्टेट प्रतिरोध | आरडीएस (ON) | वीजीएस = 10 वी, आईडी = 5 ए | - | 26 | 35 | mΩ |
| आरडीएस (ON) | वीजीएस = 4.5 वी, आईडी = 5 ए | - | 32 | 45 | mΩ | |
| फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्शन | GFS | VDS = 5V, आईडी = 5 ए | 1 1 | - | - | एस |
| इनपुट क्षमता | CLSS | - | 979 | - | पीएफ | |
| आउटपुट कैपेसिटेंस | Coss | - | 120 | - | पीएफ | |
| रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस | Crss | - | 100 | - | पीएफ | |
| देरी समय चालू करें | टीडी (पर) | - | 5.2 | - | एन एस | |
| राइज-ऑन टाइम | आर टी | - | 3 | - | एन एस | |
| टर्न-ऑफ देरी का समय | टीडी (बंद) | - | 17 | - | एन एस | |
| टर्न-ऑफ फॉल टाइम | च टी | - | 2.5 | - | एन एस | |
| कुल गेट चार्ज | Qg | VDS = 30V, आईडी = 5 ए, | - | 22 | NC | |
| गेट-सोर्स चार्ज | Qgs | - | 3.3 | NC | ||
| गेट-ड्रेन चार्ज | Qgd | - | 5.2 | NC | ||
| डायोड फॉरवर्ड वोल्टेज (नोट 3) | वी एस डी | वीजीएस = 0V, है = 5 ए | - | 1.2 | वी | |
| डायोड फॉरवर्ड करंट (नोट 2) | एस मैं | - | - | 5 | ए | |
| फॉरवर्ड टर्न-ऑन टाइम | टन | आंतरिक मोड़ समय नगण्य है (एलएस + एलडी पर टर्न-ऑन हावी है) | ||||
टिप्पणियाँ:
1. दोहराव रेटिंग: पल्स चौड़ाई अधिकतम जंक्शन तापमान द्वारा सीमित। 2. एफआर 4 बोर्ड पर चढ़ा हुआ सतह, टी । 10 सेकंड ।
3. पल्स टेस्ट: पल्स चौड़ाई, 300μs, ड्यूटी साइकिल। 2%।
4. डिजाइन की गारंटी, उत्पादन के अधीन नहीं है
5. ईएएस स्थिति: टीजे = 25 ℃, वीडीडी = 30 वी, वीजी = 10 वी, एल = 0.5 एमएच, आरजी = 25 j
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