उत्पाद विवरण:
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उत्पाद का नाम: | तर्क स्तर ट्रांजिस्टर | सुविधाएँ: | शक्तिशाली |
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मॉडल संख्या: | 2N60- TO-220F | नाली-स्रोत वोल्टेज: | 600V |
गेट-सोर्स वोल्टेज: | ± 30 वी | प्रकार: | एन चैनल मोस्सेट स्विच |
हाई लाइट: | एन चैनल mosfet ट्रांजिस्टर,उच्च वोल्टेज ट्रांजिस्टर |
पावरफुल लॉजिक लेवल ट्रांजिस्टर / एन चैनल मॉसफेट स्विच 2N60 TO-220F
तर्क स्तर ट्रांजिस्टर विवरण
UTC 2N60-TC3 एक उच्च वोल्टेज बिजली MOSFET है और इसे बेहतर विशेषताओं के लिए डिज़ाइन किया गया है, जैसे फास्ट स्विचिंग टाइम, कम गेट चार्ज, कम ऑन-स्टेट प्रतिरोध और एक उच्च बीहड़ हिमस्खलन विशेषताओं है। इस बिजली MOSFET का उपयोग आमतौर पर बिजली की आपूर्ति, पीडब्लूएम मोटर नियंत्रण, उच्च कुशल डीसी से डीसी कन्वर्टर्स और ब्रिज सर्किट में उच्च गति स्विचिंग अनुप्रयोगों में किया जाता है।
तर्क स्तर ट्रांजिस्टर फीचर्स
* RDS (ON) <7.0) @ VGS = 10 V, ID = 1.0A
* उच्च स्विचिंग गति
तर्क स्तर ट्रांजिस्टर SYMBOL
आदेश की जानकारी
क्रम संख्या | पैकेज | पिन असाइनमेंट | पैकिंग | |||
सीसा मुक्त | हलोजन मुक्त | 1 | 2 | 3 | ||
2N60L-TF1 टी | 2N60G-TF1 टी | टू-220F1 | जी | डी | एस | ट्यूब |
2N60L-TF3 टी | 2N60G-TF3 टी | टू-220F | जी | डी | एस | ट्यूब |
2N60L-TM3 टी | 2N60G-TM3 टी | टू-251 | जी | डी | एस | ट्यूब |
नोट: पिन असाइनमेंट: जी: गेट डी: नाली एस: स्रोत
अंकन
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 ° С, जब तक कि अन्यथा निर्दिष्ट न हो)
पैरामीटर | प्रतीक | रेटिंग | यूनिट | |
नाली-स्रोत वोल्टेज | VDSS | 600 | वी | |
गेट-सोर्स वोल्टेज | VGSS | ± ३० | वी | |
नाली वर्तमान | निरंतर | आईडी | 2 | ए |
स्पंदित (नोट 2) | IDM | 4 | ए | |
हिमस्खलन ऊर्जा | एकल स्पंदित (नोट 3) | ईएएस | 84 | एमजे |
पीक डायोड रिकवरी DV / dt (नोट 4) | डीवी / dt | 4.5 | वी / एनएस | |
शक्ति का अपव्यय | टू-220F / टू-220F1 | पीडी | 23 | डब्ल्यू |
टू-251 | 44 | डब्ल्यू | ||
जंक्शन तापमान | टीजे | 150 | डिग्री सेल्सियस | |
भंडारण तापमान | TSTG | -55 ~ +150 | डिग्री सेल्सियस |
नोट: 1. निरपेक्ष अधिकतम रेटिंग वे मान हैं जिनसे परे डिवाइस को स्थायी रूप से क्षतिग्रस्त किया जा सकता है।
पूर्ण अधिकतम रेटिंग केवल तनाव रेटिंग हैं और कार्यात्मक डिवाइस ऑपरेशन निहित नहीं है।
दोहराव रेटिंग: पल्स चौड़ाई अधिकतम जंक्शन तापमान द्वारा सीमित।
L = 84mH, IAS = 1.4A, VDD = 50V, RG = 25 T TJ = 25 ° C से शुरू
ISD ≤ 2.0A, di / dt /200A / μs, VDD VBVDSS, TJ = 25 ° C से शुरू
थर्मल डेटा
पैरामीटर | प्रतीक | रेटिंग | यूनिट | |
जंक्शन से एंबिएंट | टू-220F / टू-220F1 | θJA | 62.5 | डिग्री सेल्सियस / डब्ल्यू |
टू-251 | 100 | डिग्री सेल्सियस / डब्ल्यू | ||
जंक्शन टू केस | टू-220F / टू-220F1 | θJC | 5.5 | डिग्री सेल्सियस / डब्ल्यू |
टू-251 | 2.87 | डिग्री सेल्सियस / डब्ल्यू |
विद्युत प्रभार (TJ = 25 ° С, जब तक कि अन्यथा निर्दिष्ट न हो)
पैरामीटर | प्रतीक | परीक्षण की स्थितियाँ | मिन | TYP | मैक्स | यूनिट | |
वर्णव्यवस्था | |||||||
नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज | BVDSS | वीजीएस = 0 वी, आईडी = 250μA | 600 | वी | |||
नाली-स्रोत रिसाव करंट | IDSS | VDS = 600V, VGS = 0V | 1 | μA | |||
गेट-सोर्स लीकेज करंट | आगे | IGSS | वीजीएस = 30 वी, वीडीएस = 0 वी | 100 | ना | ||
रिवर्स | वीजीएस = -30 वी, वीडीएस = 0 वी | -100 | ना | ||||
वर्णव्यवस्था पर | |||||||
गेट दहलीज वोल्टेज | वीजीएस (वें) | वीडीएस = वीजीएस, आईडी = 250μA | 2.0 | 4.0 | वी | ||
स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट प्रतिरोध | आरडीएस (ON) | वीजीएस = 10 वी, आईडी = 1.0 ए | 7.0 | Ω | |||
डायनामिक वर्णक्रम | |||||||
इनपुट क्षमता | CISS |
| 190 | pF | |||
आउटपुट कैपेसिटेंस | Coss | 28 | pF | ||||
रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस | CRSS | 2 | pF | ||||
स्विचिंग वर्णक्रम | |||||||
कुल गेट शुल्क (नोट 1) | QG | VDS = 200V, VGS = 10V, ID = 2.0A IG = 1mA (नोट 1, 2) | 7 | NC | |||
गेटवे चार्ज | QGS | 2.9 | NC | ||||
गेट-ड्रेन चार्ज | QGD | 1.9 | NC | ||||
देरी समय पर (नोट 1) | टीडी (ON) |
| 4 | एनएस | |||
उठने का समय | टी.आर. | 16 | एनएस | ||||
देरी समय बंद करें | टीडी (बंद) | 16 | एनएस | ||||
पतझड़ का समय | TF | 19 | एनएस | ||||
स्रोत- डायन डायोड के अनुपात और वर्णक्रम | |||||||
अधिकतम शरीर-डायोड निरंतर वर्तमान | है | 2 | ए | ||||
अधिकतम बॉडी-डायोड स्पंदित करंट | भारतीय चिकित्सा पद्धति | 8 | ए | ||||
नाली-स्रोत डायोड फॉरवर्ड वोल्टेज (नोट 1) | वी एस डी | वीजीएस = 0 वी, आईएस = 2.0 ए | 1.4 | वी | |||
रिवर्स रिकवरी टाइम (नोट 1) | trr | VGS = 0V, IS = 2.0A, | 232 | एनएस | |||
उल्टा रिकवरी चार्ज | QRR | 1.1 | μC |
नोट: 1. पल्स टेस्ट: पल्स चौड़ाई µ 300 ,s, ड्यूटी चक्र ≤ 2%।
ऑपरेटिंग तापमान से अनिवार्य रूप से स्वतंत्र।
व्यक्ति से संपर्क करें: David