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G40N10 100V मॉसफेट पावर ट्रांजिस्टर, एन चैनल ट्रांजिस्टर फास्ट स्विचिंग

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प्रमाणन

चीन Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd प्रमाणपत्र

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ग्राहक समीक्षा

हम हुआ जुआन यांग के साथ सहयोग बड़े पैमाने पर उनके व्यावसायिकता के कारण करते हैं, उनके लिए आवश्यक उत्पादों के अनुकूलन के लिए उनकी गहरी प्रतिक्रिया, हमारी सभी जरूरतों का निपटान और, सबसे बढ़कर, वे गुणवत्ता सेवाओं का प्रावधान करते हैं।

—— —— कनाडा से जेसन

मेरे दोस्त की सिफारिश के तहत, हम अर्धचालक और इलेक्ट्रॉनिक घटक उद्योग के एक वरिष्ठ विशेषज्ञ हुआ झुआन यांग के बारे में जानते हैं, जिसने हमें अपना कीमती समय कम करने और अन्य कारखानों का प्रयास नहीं करने के लिए सक्षम किया है।

—— —— रूस से Виктор

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G40N10 100V मॉसफेट पावर ट्रांजिस्टर, एन चैनल ट्रांजिस्टर फास्ट स्विचिंग

G40N10 100V मॉसफेट पावर ट्रांजिस्टर, एन चैनल ट्रांजिस्टर फास्ट स्विचिंग

बड़ी छवि : G40N10 100V मॉसफेट पावर ट्रांजिस्टर, एन चैनल ट्रांजिस्टर फास्ट स्विचिंग

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस:	शेन्ज़ेन चीन
ब्रांड नाम:	Hua Xuan Yang
प्रमाणन:	RoHS、SGS
मॉडल संख्या:	G40N10

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा:	1000-2000 PCS
मूल्य:	Negotiated
पैकेजिंग विवरण:	बॉक्सिंग
प्रसव के समय:	1 - 2 सप्ताह
भुगतान शर्तें:	एल / सीटी / टी वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता:	18,000,000 PCS / प्रति दिन

संपर्क करें

G40N10 100V मॉसफेट पावर ट्रांजिस्टर, एन चैनल ट्रांजिस्टर फास्ट स्विचिंग

वर्णन

उत्पाद का नाम:	mosfet सत्ता ट्रांजिस्टर	जंक्शन तापमान::	150℃
सामग्री:	सिलिकॉन	मॉडल संख्या:	HXY2312
मामला:	टेप / ट्रे / रील	प्रकार:	mosfet ट्रांजिस्टर
हाई लाइट:	उच्च वर्तमान ट्रांजिस्टर , ट्रांजिस्टर का उपयोग करते हुए mosfet ड्राइवर

G40N10 100V मॉसफेट पावर ट्रांजिस्टर, एन चैनल ट्रांजिस्टर फास्ट स्विचिंग

उत्पाद के सार

G40N10, 2.5 R के रूप में गेट वोल्टेज के साथ उत्कृष्ट RDS (ON), कम गेट चार्ज और संचालन प्रदान करने के लिए उन्नत विमान तकनीक का उपयोग करता है। यह डिवाइस बैटरी सुरक्षा या अन्य स्विचिंग एप्लिकेशन के रूप में उपयोग करने के लिए उपयुक्त है।

टैग:

लॉजिक mosfet स्विच,

ट्रांजिस्टर का उपयोग करके mosfet ड्राइवर,

उच्च वर्तमान ट्रांजिस्टर

सम्पर्क करने का विवरण

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

व्यक्ति से संपर्क करें: David

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जंक्शन तापमान:: 150℃
सामग्री: सिलिकॉन
मॉडल संख्या: HXY2312

के बारे में

mosfet सत्ता ट्रांजिस्टर: HXY4616 तर्क स्तर ट्रांजिस्टर, उच्च वोल्टेज ट्रांजिस्टर 30V पूरक MOSFET; HXY4616 Mosfet Power Transistor V 20v VGS हाई वोल्टेज VDS 40V VGS Mos 20v; 20G04S 40V Mosfet Power Transistor N + P चैनल एन्हांसमेंट मोड MOSFET

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