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उत्पाद विवरण:
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| उत्पाद का नाम: | mosfet सत्ता ट्रांजिस्टर | RDS (ON) (VGS = 10V पर): | <24m < |
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| सामग्री: | सिलिकॉन | मॉडल संख्या: | HXY4404 |
| RDS (ON) (VGS = 2.5V पर): | <48 मीΩ | प्रकार: | mosfet ट्रांजिस्टर |
| हाई लाइट: | उच्च वर्तमान ट्रांजिस्टर,ट्रांजिस्टर का उपयोग करते हुए mosfet ड्राइवर |
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उत्पाद के सार
| VDS | 30V |
| आईडी (वीजीएस = 10 वी पर) | 8.5A |
| RDS (ON) (VGS = 10V पर) | <24m < |
| RDS (ON) (VGS = 4.5V पर) | <30 मीΩ |
| RDS (ON) (VGS = 2.5V पर) | <48 मीΩ |
सामान्य विवरण
HXY4404 उन्नत ट्रेंच तकनीक का उपयोग करता है
उत्कृष्ट RDS (ON), कम गेट चार्ज और ऑपरेशन प्रदान करें
गेट वोल्टेज के साथ 2.5V जितना कम होगा। यह उपकरण एक बनाता है
नोटबुक सीपीयू कोर डीसी-डीसी के लिए उत्कृष्ट उच्च पक्ष स्विच
रूपांतरण।
अनुप्रयोगों
उच्च दक्षता बिजली की आपूर्ति
सेकेंडरी सिंक्रस रेक्टिफायर
विद्युत अभिलक्षण (T = 25 ° C जब तक अन्यथा उल्लेख नहीं किया गया है)
ए। आर A जेए का मूल्य 2 आईएन के साथ 1in 2 FR-4 बोर्ड पर लगे डिवाइस से मापा जाता है। कॉपर, टी ए = 25 डिग्री सेल्सियस के साथ अभी भी वायु वातावरण में।
किसी भी एप्लिकेशन में मूल्य उपयोगकर्ता के विशिष्ट बोर्ड डिजाइन पर निर्भर करता है।
B. बिजली अपव्यय P D , T J (MAX) = 150 ° C पर आधारित है, जो s 10 s जंक्शन-टू-एंबिएंट थर्मल प्रतिरोध का उपयोग करता है।
C. दोहराव की रेटिंग, जंक्शन तापमान T J (MAX) = 150 ° C द्वारा सीमित पल्स चौड़ाई। रेटिंग कम आवृत्ति और ड्यूटी साइकल पर आधारित है
आरंभीकरण = २५ ° सें।
डी। आर The जेए जंक्शन से थर्मल प्रतिबाधा का योग है जो आर L जेएल का नेतृत्व करता है और परिवेश का नेतृत्व करता है।
ई। आंकड़े 1 से 6 में स्थिर विशेषताएँ <300µ दालों, कर्तव्य चक्र 0.5% अधिकतम का उपयोग करके प्राप्त की जाती हैं।
एफ। ये वक्र जंक्शन-टू-एंबिएंट थर्मल प्रतिबाधा पर आधारित होते हैं, जिसे 1in 2 FR-4 बोर्ड पर लगे डिवाइस से मापा जाता है
दो आउंस। कॉपर, टी जे (मैक्स) = 150 ° C का अधिकतम जंक्शन तापमान मान रहा है। SOA वक्र एकल पल्स रेटिंग प्रदान करता है।
जी। स्पाइक ड्यूटी चक्र 5% अधिकतम, जंक्शन तापमान टीजे (मैक्स) = 125 डिग्री सेल्सियस द्वारा सीमित।
TYPICAL विद्युत और थर्मल वर्णक्रम
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