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उत्पाद विवरण:
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| VCBO: | -400V | VCEO: | -400V |
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| VEBO: | -5V | उत्पाद का नाम: | सिलिकॉन सेमीकंडक्टर ट्रायोड प्रकार |
| TJ: | 150s | पावर Mosfet ट्रांजिस्टर: | TO-92 प्लास्टिक-एनकैप्सुलेट |
| हाई लाइट: | टिप पीपीपी ट्रांजिस्टर,टिप श्रृंखला ट्रांजिस्टर |
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TO-92 प्लास्टिक-एनकैप्सुलेट ट्रांजिस्टर A94 ट्रांजिस्टर (PNP)
हाई ब्रेकडाउन वोल्टेज
अंकन
ए 94 = डिवाइस कोड
सॉलिड डॉट = ग्रीन मोल्डिंग कंपाउंड डिवाइस, यदि कोई नहीं, तो सामान्य डिवाइस
Z = hFE की रैंक
XXX = संहिता
आदेश की जानकारी
| भाग संख्या | पैकेज | पैकिंग विधि | पैक की मात्रा |
| A94 | को-92 | थोक | 1000pcs / बैग |
| A94-टीए | को-92 | फीता | 2000pcs / बॉक्स |
अधिकतम रैंकिंग (T a = 25 noted जब तक अन्यथा नोट न की गई हो)
| प्रतीक | पैरामीटर | मूल्य | इकाई |
| वी CBO | Coll ector- बेस वोल्टेज | -400 | वी |
| वी के सीईओ | कोल एक्टर-एमिटर वोल्टेज | -400 | वी |
| वी ईबीओ | एमिटर-बेस वोल्टेज | -5 | वी |
| मैं सी | Coll ector करंट -कंटेनर | -0.2 | ए |
| मैं सी.एम. | Coll ector करंट-स्पंदित | -0.3 | ए |
| पी सी | Coll ector पॉवर अपचता | 625 | मेगावाट |
| आर A जेए | थर्मल प्रतिरोध इक्का जंक्शन से परिवेश के लिए | 200 | ℃ / डब्ल्यू |
| टी जे | जंक्शन तापमान | 150 | ℃ |
| T stg | भंडारण तापमान | -55 ~ + 150 | ℃ |
T a = 25 Š जब तक अन्यथा निर्दिष्ट न हो
| पैरामीटर | प्रतीक | परीक्षण की स्थिति | मिन | प्रकार | मैक्स | इकाई |
| कलेक्टर-बेस ब्रेकडाउन वोल्टेज | वी (BR) सीबीओ | I C = -100 CA, I E = 0 | -400 | वी | ||
| कलेक्टर-एमिटर ब्रेकडाउन वोल्टेज | वी (BR) के मुख्य कार्यकारी अधिकारी | I C = -1mA, I B = 0 | -400 | वी | ||
| एमिटर-बेस ब्रेकडाउन वोल्टेज | वी (BR) EBO | I E = -100 EA, I C = 0 | -5 | वी | ||
| कलेक्टर कट-ऑफ करंट | ICBO | वी सीबी = -400 वी, आई ई = 0 | -0.1 | μA | ||
| कलेक्टर कट-ऑफ करंट | ICEO | वी सीई = -400 वी, आई बी = 0 | -5 | μA | ||
| एमिटर कट-ऑफ करंट | IEBO | वी ईबी = -4 वी, आई सी = 0 | -0.1 | μA | ||
डीसी वर्तमान लाभ | hFE (1) | वी सीई = -10 वी, आई सी = -10mA | 80 | 300 | ||
| hFE (2) | वी सीई = -10 वी, आई सी = -1mA | 70 | ||||
| hFE (3) | वी सीई = -10 वी, आई सी = -100mA | 60 | ||||
| hFE (4) | वी सीई = -10 वी, आई सी = -50mA | 80 | ||||
कलेक्टर-एमिटर संतृप्ति वोल्टेज | वी सी इ (बैठे) (1) | I C = -10mA, I B = -1mA | -0.2 | वी | ||
| वी सी इ (बैठे) (2) | I C = -50mA, I B = -5mA | -0.3 | वी | |||
| बेस-एमिटर संतृप्ति वोल्टेज | VBE (बैठे) | I C = -10mA, I B = -1mA | -0.75 | वी | ||
| संक्रमण की आवृत्ति | एफ टी | V CE = -20V, I C = -10mA, f = 30MHz | 50 | मेगाहर्ट्ज |
| श्रेणी | ए | बी | सी |
| रेंज | 80-100 | 100-200 | 200-300 |
पैकेज रूपरेखा आयाम
| प्रतीक | मिलीमीटर में आयाम | इंचों में आयाम | ||
| मिन | मैक्स | मिन | मैक्स | |
| ए | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
| ए 1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
| ख | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
| सी | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
| डी | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| डी 1 | 3.430 | 0.135 | ||
| ए | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| ई | 1.270 TYP | लब TYP | ||
| E1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
| एल | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
| 0 | 1.600 | 0.063 | ||
| ज | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |
व्यक्ति से संपर्क करें: David
