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B772 हाई वोल्टेज एनपीएन स्विचिंग ट्रांजिस्टर एमिटर बेस वोल्टेज -5 वी

प्रमाणन
चीन Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd प्रमाणपत्र
चीन Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
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B772 हाई वोल्टेज एनपीएन स्विचिंग ट्रांजिस्टर एमिटर बेस वोल्टेज -5 वी

B772 हाई वोल्टेज एनपीएन स्विचिंग ट्रांजिस्टर एमिटर बेस वोल्टेज -5 वी
B772 हाई वोल्टेज एनपीएन स्विचिंग ट्रांजिस्टर एमिटर बेस वोल्टेज -5 वी

बड़ी छवि :  B772 हाई वोल्टेज एनपीएन स्विचिंग ट्रांजिस्टर एमिटर बेस वोल्टेज -5 वी

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: शेन्ज़ेन चीन
ब्रांड नाम: Hua Xuan Yang
प्रमाणन: RoHS、SGS
मॉडल संख्या: B772
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1000-2000 PCS
मूल्य: Negotiated
पैकेजिंग विवरण: बॉक्सिंग
प्रसव के समय: 1 - 2 सप्ताह
भुगतान शर्तें: एल / सीटी / टी वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 18,000,000 PCS / प्रति दिन

B772 हाई वोल्टेज एनपीएन स्विचिंग ट्रांजिस्टर एमिटर बेस वोल्टेज -5 वी

वर्णन
कलेक्टर-बेस वोल्टेज: -40v जंक्शन तापमान: 150 ℃
एमिटर-बेस वोल्टेज: -5V आवेदन: मोबाइल बिजली की आपूर्ति / एलईडी ड्राइवर / मोटर नियंत्रण
भंडारण तापमान: -55 ~ 150 ℃
हाई लाइट:

उच्च आवृत्ति ट्रांजिस्टर

,

बिजली mosfet ट्रांजिस्टर

SOT-89-3L प्लास्टिक-एनकैप्सुलेट ट्रांजिस्टर B772 ट्रांजिस्टर (NPN)

सुविधा

कम गति स्विचिंग

अंकन: B772

अधिकतम रैंकिंग (टा = 25 ℃ जब तक अन्यथा नोट नहीं)

प्रतीक पैरामीटर मूल्य इकाई
V CBO कलेक्टर-बेस वोल्टेज -40 वी
वी के सीईओ कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज -30 वी
वी ईबीओ एमिटर-बेस वोल्टेज -6 वी
मैं सी कलेक्टर करंट -सांझ -3
पी सी कलेक्टर शक्ति अपव्यय 0.5 डब्ल्यू
आर ӨJA थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन से परिवेश 250 ℃ / डब्ल्यू
टी जे जंक्शन तापमान 150
T stg भंडारण तापमान -55 ~ 150




विद्युत प्रभार (टा = 25 ℃ जब तक अन्यथा निर्दिष्ट नहीं)

पैरामीटर प्रतीक परीक्षण की स्थितियाँ मिन प्रकार मैक्स इकाई
कलेक्टर-बेस ब्रेकडाउन वोल्टेज वी (BR) सीबीओ I C = -100μA, I E = 0 -40 वी
कलेक्टर-एमिटर ब्रेकडाउन वोल्टेज वी (BR) के मुख्य कार्यकारी अधिकारी I C = -10mA, I B = 0 -30 वी
एमिटर-बेस ब्रेकडाउन वोल्टेज वी (BR) EBO I E = -100μA, I C = 0 -6 वी
कलेक्टर कट-ऑफ करंट ICBO वी सीबी = -40 वी, आई = 0 -1 μA
कलेक्टर कट-ऑफ करंट ICEO वी सीई = -30 वी, आई बी = 0 -10 μA
एमिटर कट-ऑफ करंट IEBO वी ईबी = -6 वी, आई सी = 0 -1 μA
डीसी वर्तमान लाभ hFE वी सीई = -2 वी, आई सी = -1 60 400
कलेक्टर-एमिटर संतृप्ति वोल्टेज वी सी इ (बैठे) I C = -2A, I B = -0.2A -0.5 वी
बेस-एमिटर संतृप्ति वोल्टेज VBE (बैठे) I C = -2A, I B = -0.2A -1.5 वी

संक्रमण की आवृत्ति

एफ टी

वी सीई = -5 वी, आई सी = -0.1 ए

f = 10MHz

50

मेगाहर्ट्ज



विशेष लक्षण


पैकेज रूपरेखा आयाम

प्रतीक मिलीमीटर में आयाम इंचों में आयाम
मिन मैक्स मिन मैक्स
1.400 1.600 0.055 0.063
0.320 0.520 0.013 0.020
बी 1 0.400 0.580 0.016 0.023
सी 0.350 0.440 0.014 0.017
डी 4.400 4.600 0.173 0.181
डी 1 1.550 आरईएफ। 0.061 आरईएफ।
2.300 2.600 0.091 0.102
ई 1 3.940 4.250 0.155 0.167
1.500 TYP। 0.060 TYP।
E1 3.000 TYP। 0.118 TYP।
एल 0.900 1.200 0.035 0.047

एच फे के वर्गीकरण

श्रेणी आर हे Y जीआर
रेंज 60-120 100-200 160-320 200-400

विशेष लक्षण




सम्पर्क करने का विवरण
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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