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FMMT491 प्रतिरोध पर उच्च वोल्टेज NPN पावर ट्रांजिस्टर कम समतुल्य

प्रमाणन
चीन Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd प्रमाणपत्र
चीन Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
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FMMT491 प्रतिरोध पर उच्च वोल्टेज NPN पावर ट्रांजिस्टर कम समतुल्य

FMMT491 प्रतिरोध पर उच्च वोल्टेज NPN पावर ट्रांजिस्टर कम समतुल्य
FMMT491 प्रतिरोध पर उच्च वोल्टेज NPN पावर ट्रांजिस्टर कम समतुल्य FMMT491 प्रतिरोध पर उच्च वोल्टेज NPN पावर ट्रांजिस्टर कम समतुल्य

बड़ी छवि :  FMMT491 प्रतिरोध पर उच्च वोल्टेज NPN पावर ट्रांजिस्टर कम समतुल्य

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: शेन्ज़ेन चीन
ब्रांड नाम: Hua Xuan Yang
प्रमाणन: RoHS、SGS
मॉडल संख्या: FMMT491
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1000-2000 PCS
मूल्य: Negotiated
पैकेजिंग विवरण: बॉक्सिंग
प्रसव के समय: 1 - 2 सप्ताह
भुगतान शर्तें: एल / सीटी / टी वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 18,000,000 PCS / प्रति दिन

FMMT491 प्रतिरोध पर उच्च वोल्टेज NPN पावर ट्रांजिस्टर कम समतुल्य

वर्णन
प्रकार: सिलिकॉन पावर ट्रांजिस्टर फ़ीचर: प्रतिरोध पर कम बराबर
कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज: 60V भंडारण तापमान: -55 ~ + 150 ℃
कलेक्टर शक्ति अपव्यय: 250mW पीक पल्स करंट: 2A
हाई लाइट:

उच्च आवृत्ति ट्रांजिस्टर

,

बिजली mosfet ट्रांजिस्टर

एसओटी -23 प्लास्टिक-एनकैप्सुलेट ट्रांजिस्टर FMMT491 ट्रांजिस्टर (NPN)

सुविधा

प्रतिरोध पर कम बराबर

अंकन: 491

अधिकतम रैंकिंग (टा = 25 ℃ जब तक अन्यथा नोट नहीं)

प्रतीक पैरामीटर मूल्य इकाई
वी CBO कलेक्टर-बेस वोल्टेज 80 वी
वी के सीईओ कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज 60 वी
वी ईबीओ एमिटर-बेस वोल्टेज 5 वी
मैं सी कलेक्टर वर्तमान 1
मैं सी.एम. पीक पल्स करंट 2
पी सी कलेक्टर शक्ति अपव्यय 250 मेगावाट
आर ΘJA जंक्शन से परिवेश तक थर्मल प्रतिरोध 500 ℃ / डब्ल्यू
टी जे जंक्शन तापमान 150
T stg भंडारण तापमान -55 ~ + 150




विद्युत प्रभार (टा = 25 ℃ जब तक अन्यथा निर्दिष्ट नहीं)

पैरामीटर प्रतीक परीक्षण की स्थितियाँ मिन प्रकार मैक्स इकाई
कलेक्टर-बेस ब्रेकडाउन वोल्टेज वी (BR) सीबीओ I C = 100μA, I E = 0 80 वी
कलेक्टर-एमिटर ब्रेकडाउन वोल्टेज वी (बीआर) के सीईओ 1 I C = 10mA, I B = 0 60 वी
एमिटर-बेस ब्रेकडाउन वोल्टेज वी (BR) EBO I E = 100μA, I C = 0 5 वी
कलेक्टर कट-ऑफ करंट ICBO वी सीबी = 60 वी, आई = 0 0.1 μA
एमिटर कट-ऑफ करंट IEBO वी ईबी = 4 वी, आई सी = 0 0.1 μA



डीसी वर्तमान लाभ

hFE (1) वी सीई = 5 वी, आई सी = 1mA 100
hFE (2) 1 वी सीई = 5 वी, आई सी = 500mA 100 300
hFE (3) 1 वी सीई = 5 वी, आई सी = 1 ए 80
hFE (4) 1 वी सीई = 5 वी, आई सी = 2 ए 30

कलेक्टर-एमिटर संतृप्ति वोल्टेज

VCE (सत) १ I C = 500mA, I B = 50mA 0.25 वी
VCE (सत) २ I C = 1A, I B = 100mA 0.5 वी
बेस-एमिटर संतृप्ति वोल्टेज VBE (बैठे) I C = 1A, I B = 100mA 1.1 वी
बेस-एमिटर वोल्टेज

1

VBE

वी सीई = 5 वी, आई सी = 1 ए 1 वी
संक्रमण की आवृत्ति फुट V CE = 10V, I C = 50mA ,, f = 100MHz 150 मेगाहर्ट्ज
कलेक्टर उत्पादन समाई सिल V CB = 10V, f = 1MHz 10 pF



स्पंदित स्थितियों के तहत मापा जाता है, पल्स चौड़ाई = 300μs, ड्यूटी चक्र %2%।



विशिष्ट चरित्र












पैकेज रूपरेखा आयाम

प्रतीक मिलीमीटर में आयाम इंचों में आयाम
मिन मैक्स मिन मैक्स
0.900 1.150 0.035 0.045
ए 1 0.000 0.100 0.000 0.004
ए 2 0.900 1.050 0.035 0.041
0.300 0.500 0.012 0.020
सी 0.080 0.150 0.003 0.006
डी 2.800 3.000 0.110 0.118
1.200 1.400 0.047 0.055
ई 1 2.250 2.550 0.089 0.100
0.950 TYP 0.037 TYP
E1 1.800 2.000 0.071 0.079
एल 0.550 आरईएफ 0.022 आरईएफ
एल 1 0.300 0.500 0.012 0.020
θ 0 डिग्री 8 ° 0 डिग्री 8 °









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